碳化硅器件及其温度特性的研究.pdfVIP

中国科学技术大学硕士论文 摘 要 第三代宽带隙(wBG)半导体材料SiC具有高击穿电场、高饱和电子漂移 速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点，特别适合制作高压、高温、高功 率、耐辐照等半导体器件，使得其在国民经济和军事等诸多领域有着广泛的应用 前景，己引起了电予材料和微电子技术领域的广泛关注。本文从SiC肖特基器件 的制备过程，SiC器件的温度特性，SiC高温传感器等方面进行了较为深入系统 的研究。 1．研制了碳化硅肖特基势垒二极管。研究了金属一碳化硅接触的基本问题 和SiC的基本工艺过程，制定了一套制造碳化硅肖特基势垒二极管的工艺流程和 工艺条件。采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触， 基势垒二极管(SAD)。对器件进行了测量分析，I—V测量曲线说明肖特基二极管 的特性比较理想，可以看出它是比较理想的肖特基势垒器件。 2．研究了SiC器件的温度特性。研究了SiCSBD在一100℃到500。C之间正 向直流压降与温度变化的关系。实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流 恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由 此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型。此外， 还分析了SiCMOSFET器件的温度特性。 3． 根据SiC的温度特性及其耐高温的特性，我们设计了SiC高温传感器。 阐述了SiC高温温度传感器的工作原理，介绍了传感器系统的结构。系统的测温 范围在O℃到500。|C，精度可达O．5 6C。另外，还介绍了SiC高温压力传感器的基 本结构及最新的研究成果。为SiC器件在高温领域的应用打下一个良好的基础。 中围科学技术大学顾-}论文 Abstract Silicon oneofthethird semiconductor Carbide(sic)，as generation material，has a of electricalandthermal aswideband lot good propeaies，such gap，high breakdown thermal and saturationelectron conductivity velocity． field，high high These makeSiCa semiconductorforthefabricationofdevicesin properties preferred and conditions．Inthis temperature，highfrequencyhighvoltagehighpower high fabricationofSiC ofSiCdeviceand thesis，the device，the characteristics temperature inthisthesis8re SiC sensorareconcemed．Themainworks summarized hightemperature asfo[10ws： microelectronics electr