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自.鞋科誓建展 第18卷 第1期 2008年1月 57
国家自然科学基金重大项目“先进电子制造中的重要科学技术.
问题研究”取得突出进展
从制造原理与工艺角度看电子器件制造属于半导体物理和材料科学等学科的研究范畴,但其中存在着
大量机械学科的研究课题,而在我国电子制造与机械装备制造两个领域的研究相互脱节,不利于电子制造
基础理论和关键技术的源头创新和跨越式发展.为此,2001年底至2002年初,在有关院士专家的倡导下,
国家自然科学基金委员会组织召开了多次研讨会,经反复调研和论证,于2002年底设立了重大项目“先进
电子制造中的重要科学技术问题研究”.本着有限支持、重点突破的原则,将“超精抛光中纳米粒子行为和
化学作用及平整化原理与技术”、“磁头、磁盘表面润滑规律和超薄保护膜的生长机理及技术”、“面向芯片
封装的高加速度运动系统的精确定位和操纵”和“芯片封装界面制造过程多参数影响规律与控制”列为其
和应用技术研究,建立起面向下一代先进电子制造的理论体系和原型系统,为我国电子制造业的发展提供
科学基础,同时也为我国21世纪制造科学的发展开辟新的方向.项目由上海交通大学、清华大学、中南大
学、大连理工大学、华中科技大学和北京航空航天大学联合承担.于2003年4月1Et正式启动,经过4年
的努力,于2007年8月14—15日在上海通过了由国家自然科学基金委员会组织的结题验收与评议.
4年问,项目组围绕两大科学问题“相对运动表面间的原子、分子和纳米粒子行为”和“极限制造的复
杂系统高精度协同运动规律与控制”开展了系统、深入的研究工作,取得了突出的理论和技术进展,主要
创新性成果包括:
(1)提出了一种纳米量级划痕深度和长度可控的单颗磨粒磨削研究方法,建立了硅片自旋转磨削的砂
轮临界切深模型和实现延性域磨削的工艺规范,研究出了利用软磨料砂轮低损伤平整化磨削硅片的新工艺
方法(R口0.7nm,损伤层深度10nm),实现了300
装备技术;
(2)揭示了计算机磁盘和磁头超精密抛光的工艺规律,提出了专用抛光液的制备原理,优化了工艺参
rim;
数,使磁盘和磁头的抛光表面粗糙度分别达到0.08和0.2
(3)成功地制备出抗湿特性优良、结合力强的磁头表面改性分子膜,提高了磁头的抗污染能力,使硬
盘起动静摩擦力显著降低;(下转第67页)
自监科学连展 第18卷第1期2008年1月 67
491—508
Trans.Am.Geophys.Union,1977,58:523
Os
44Mitchell RR.Abundanceanddistributionof 49WalkerRJ,HanskiE,VuolloJ,eta1.Theisotopiccompo—
RH,Keays gold,
insome and lherzolites:Imsitionof mantle:evidenceforchondritic
andiridium proterozoicupper upper
palladium spinelgarnet
from PlanetSci
forthenatureand of metalrich mantle Outokumpuophiolite,Finland.Earth
p
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