IR2110 驱动晶片功能简介.PDF

IR2110驅動晶片功能簡介 IR2110的特點： （1）具有獨立的低端和高端輸入通道。 （2 ）懸浮電源採用自舉電路，其高端工作電壓可達500V 。 （3 ）輸出的電源端（腳3 ）的電壓範圍為10~20V 。 （4 ）邏輯電源的輸入範圍（腳9 ）5~ 15V ，可方便的與TTL ，CMOS電平相匹 配，而且邏輯電源地和功率電源地之間允許有 V的偏移量。 （5 ）工作頻率高，可達500KHz 。 （6 ）開通、關斷延遲小，分別為120ns和 94ns 。 （7 ）圖騰柱輸出峰值電流2A 。 IR2110的工作原理 ： IR2110內部功能由三部分組成：邏輯輸入；電平平移及輸出保護。如上所 述 IR2110的特點，可以為裝置的設計帶來許多方便。尤其是高端懸浮自舉電源 的設計，可以大大減少驅動電源的數目，即一組電源即可實現對上下端的控制。 高端側懸浮驅動的自舉原理： IR2110驅動半橋的電路如圖所示，其中 C1 ，VD1 分別為自舉電容和自舉二極體，C2 為VCC的濾波電容。假定在 S1關斷期間 C1 已經充到足夠的電壓（ VC1 VCC ）。 當 HIN 為高電平時如圖4.19 ：VM1開 通，VM2關斷， VC1 加到 S1的柵極和 源極之間，C1通過 VM1 ，Rg1和柵極和 源極形成回路放電，這時 C1就相當於一個電壓源，從而使 S1 導通。由於LIN 與HIN是一對互補輸入信號，所以此時 LIN 為低電平，VM3關斷， VM4 導通， 這時聚集在 S2柵極和源極的電荷在晶片內部通過 Rg2迅速對地放電，由於死區 時間影響使 S2在 S1開通之前迅速關斷。 當 HIN 為低電平時如圖4.20 ：VM1 關斷， VM2 導通，這時聚集在S1柵極和源極的電荷在晶片內部通過 Rg1迅速放 電使 S1關斷。經過短暫的死區時間 LIN 為高電平，VM3 導通，VM4關斷使 VCC 經過Rg2和 S2的柵極和源極形成回路，使 S2開通。在此同時 VCC 經自舉二極 體，C1和 S2 形成回路，對C1 進行充電，迅速為 C1補充能量，如此迴圈反復。 IC內部電路圖： 腳位說明： LO （引腳1）低端輸出: COM （引腳2 ）:公共端 Vcc （引腳3 ）低端固定電源電壓: Nc （引腳4 ）: 空端 Vs （引腳5 ）高端浮置電源偏移電壓: VB (引腳 6):高端浮置電源電壓 HO （引腳7 ）高端輸出: Nc （引腳8 ）: 空端 VDD （引腳9 ）邏輯電源電壓: HIN （引腳10）: 邏輯高端輸入 SD （引腳11）關斷: LIN （引腳12）邏輯低端輸入: Vss （引腳13）邏輯電路地電位端，其值可以為: 0V Nc （引腳14）:空端