GaN欧姆接触与MSM结构紫外探测器分析.pdfVIP

摘 要 本硕士论文是基于国家科技部重点基础研究发展规划项目(973项目)子课 题“硅基宽带隙异质结构材料生长及器件研究”(2000年lO月--2005年9月， GaN是直接跃迁的宽带隙材料，具有禁带宽度大(3．4eV，远大于Si的1．12eV， 也大于SiC的3．0eV)，电子漂移饱和速度高，介电常数小，导热性能好等特点， 存光电子器件和电子器件领域有着广泛的应用前景。GaN材料与金属欧姆接触 的性能对器件有着重要的影响。低阻欧姆接触是GaN基光电子器件所必需的。 例如对于LD，电极的接触电阻率要求在10。4Q·cm2以下。 本论文分析了国内外GaN基光电子器件研究的历史和现状，重点对金属}j rl型GaN的欧姆接触进行了研究。在此基础上，在蓝宝石基和Si基GaN上制作 了MSM结构光导型探测器，并对MSM探测器的结构进行了优化。 主要一：作如下： 1．研究了Al单层电极及Ti／AI双层电极与蓝宝石基GaN在不同退火条件 下的欧姆接触情况，并用x射线衍射谱(xRD)，二次离子质谱(SIMS) 对界面固相反应进行了分析。并建立了一套欧姆接触电阻率测试系统。 2．研究了表面处理对n—GaN上无合金化的Ti／A1电极起的作用，比较了 GaN材料光致发光谱(PL谱)以及Ti／AI电极欧姆接触性能的影响。在 发光特性也有明显提高。 3．在蓝宝石基和si基GaN上分别制作了MSM结构的光导型紫外探测器。 测试了光响应度等参数。 进行了优化。 Abstract and of Thisworkwas TheStateScience Ministry by Technology supported theNationalNaturalScience P．R．ChinaunderthecontactNo．06．and by ofP，R．ChinaunderNo Foundation grant GalliumNitrideisoneofthe semiconductormaterials．From 3加generation hasattractedmoreandmoreattentionandadvanced due 1990’S，GaN rapidly，mainly to direct band excellentcharacters．Atthe its transition，wide other gap(~3．4eV)and same ondevices ohmiccontactbetweenmetals time，the better rapidprogress requires and short—waveLD contact lower GaN，for example，the specific resistivity requ