HB-LED器件结构分析.pdfVIP

毕南帅范人学坝I．学位论立 贷．5038Q。 摘 要 q 叫 ，： I如何提高高亮度发光三趑管(HB—LED)的亮度是一项极具理论和经济效益 的课题。实践证明，通过改变器件结构可以大大提高HB．LED的亮度。y 本论文结合完成的超高亮度发光二极管半工业化实验项目，提出了改进的 变异质结，不仅有效提高了发光亮度，而且改善了器件质量。 本文从理论上分析此结构改进的合理性和有效性，得到一系列地结论。并且 用双层突变拟合渐变方式进行芯片生长，实验结果符合理论分析。 本文还针对高亮度发光二极管的器件结构中重要的退拄厦结结麴(DH)和 多量子阱(MQW)结构进行了系统的，深入的分析和研究。分析了每一种结构 在载流子输运、载流子限制和复合等方面产生的作用，从而阐明了这两器件结构 是如何提高HB．LED的发光亮度。 I本文的主要工作如下： 1．在理论上提出在HB—LED器件的DH结构中使用P．N结的渐变异质结替代现 行的p—N突变异质结。分析采用异质结渐变方式将增加HB．LED的电流注入比， 减小内建电势，改善晶体质量，并且不影响p．N结对空穴的限制。此举将会有效 提高发光亮度。 2．通过模拟不同渐变长度下的能带形状，得出结论：不同渐变长度下，最佳渐 变方式并不相同。渐变长度较短时，高斯渐变和抛物线渐变是最佳渐变方式，能 带形状更适合载流子输运。渐变长度较长时，线性渐变是最佳渐变方式，能带形 状更适合载流子输运。 3．在三种不同掺杂情况下，通过数值模拟得出消除能带尖峰所需的最小渐变长 度。并且得出结论：N型掺杂浓度越高，消除尖峰所需的渐变长度越短。 4．由于渐变异质结在实现上存在一定的困难，因此我们提出了用双层突变异质 结拟合渐变异质结。并且通过拟合能带边，得出最佳的两层组分分配。通过计算， 得出第二层的最佳突变位置。并且从实验结果看，双层突变异质结有效提高发光 亮度，改善了器件参数，晶体质量变好。 5．通过推导，得出一个计算化合物半导体异质结内建电势的公式。内建电势是 一个重要的参数，通过它可以得到很多异质结的相关参数。得出的公式与相比传 统公式更简单、实用。并且准确度较高。 6．全面分析双异质结结构(DH)在HB．LED中的重要作用。DH结构不仅提高 了载流子注入比并且加强了载流子限制作用，提高了辐射复合的效率，使得 HB．LED的亮度大幅度提高。并且引入模拟异质结的数学模型。总结异质结生长 方面的问题。 构可以减小相同发射波长下材料中的铝组分，从而改善了晶体大的质量。MQW 结构比DH结构更加有效的限制载流子，增加辐射复合效率。从而提高了发光亮 度。总结了MQW生长。引入了模拟MQW的数学模型。1／ y !!!!业篓叁兰堡!．兰篁堡兰 一 ABSTRA(了 Howtoenhancethe of Diodeisa bri【ghtness BrightnessLightEmitting High valuable in andin thestructureofthe can theory economy．Improving chip problem enhancethe ofLED． greatly brightness Inthis effectsof insteadof thesis，the graded p-N applyingp-