感应耦合等离子体刻蚀InP分析与14xxnm泵浦激光器制作.pdfVIP

感应耦合等离子体刻蚀InP研究与14xxnm泵浦激光器制作 摘要 作者：朱海波 指导老师：李晓良 用f光纤通信密集波分复用技术中的14xxnm泵浦激光器，是拉曼光纤放大器 (Ranall 特性好，电子迁移率高等优点，已被广泛应用于制造光子器件、量子器件和超高速电 子器件等领域。本工作重点研究了InP材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀12岂， 研究了[CP工艺对InP材料的刻蚀损伤，并将此工艺应用到脊波导半导体激光器的管 采用国产感应耦合等离子体刻蚀设备，以C12／Ar为刻蚀气体，在不同的ICP功 率、直流白偏压、气体成分和流量等刻蚀参数下对(100)InP衬底片进行了’刻蚀。 研究r以上刻蚀参数对刻蚀速率、表面状况、选择比、刻蚀剖面等刻蚀质量指标的影 响。最大刻蚀速率可达1．65pm／min，采用Si3N。掩膜选择比可以达到15以上。优化 的c12含量为30％左右，刻蚀速率处于峰值区，同时刻蚀粗糙度也达到最小值。SEM 观察刻蚀表面清洁，刻蚀轮廓比较理想，刻蚀剖面各向异性佳。 采用ECV和PL测量方法对ICP刻蚀InP材料的表面损伤做了探测和分析。发现 增大直流自偏压或ICP功率会增大n型InP表