超大规模集成电路制造工艺中对消除1%2ff噪声影响的研究.pdfVIP

摘 要 随着 超大规模 集 成 电路先进 技 术 的发展 ，集 成 电路器件 的的几何尺寸越 来越 小 。而 为 了提 高栅 介 质 的介 电系 数 ，CMOS 的心脏 --一 栅 氧 化层 的厚度 也越 来越 薄 。当集成 电路技 术进入 90 纳米 时代 以来 ，传 统单纯 降低 栅氧 化层 厚度 的方法 遇 到 了前所未有 的挑 战 。因为这 时候栅氧化层 的厚度 已经很 薄 (20A) ，栅 极漏 电 流 中的隧道 穿透 机 制 己经起 到主 导作用 。随着 栅 氧 化 层 厚度 的进 一 步 降低 ，栅极 漏 电流 也会 以指 数 形 式增 长 。为 了解 决这 些 问题 ，栅 氧 化层 的新 生 长技 术 成 为 目 前集 成 电路业 界 的新 的研 究方 向 。 提 高栅介 质 的介 电系数 的方 法 大致有 两大类 :一类 是采 用全 新 的高介 电系数 的材料 作 为栅 介质 ， 如氮 氧 化铅硅 (Hfs iON) 等 。但 采用全新 材 料涉及 到栅极 材料 的选择 ，晶格 常数 的匹配及 曝光蚀 刻等 一系列工 艺集成 问题 ，故技术 开发周 期相 对 较 长 ，不 能立 即满足 90 纳米 技 术 的迫切 需求 。另一大类 则 仍保 持 栅 氧化 层 作 为栅 介质 ，通 过 栅 氧化 层 膜 里 掺 入 氮 使 之 成 为致 密 的氮 氧 化 硅 来 提 高栅 介质 的介 电系 数 。 但 是掺 氮 栅氧 化 层 中的氮 会 又会 对 CM OS 器 件 1/f 噪声产 生不 利 的影 响 。这 是 因为氮 在 栅 氧 化 层 一硅 界 面 的 引入 释 放 了扭 曲的硅 一氧 化 学 键 ， 降低 了界 面应 力 ，改变 了界 面 附近 的硅 衬 底 的 晶格 结 构 ，增 强 了载 流 子 与 由晶格 结 构 决 定 的声 子群 的散射 ，同时 降低 了载流 子特 别 是 空穴进 入 栅 氧 化 层 的势垒 。所 以半 导体业 界认 为这 是掺 氮栅氧化层 CM OS 器件 1/f 噪声特 性退化 的主 要原 因 。 本 文通 过 理 论 分 析集成 电路 栅 氧化 层 的性 质 与界 面特 性 以及 CMOS 器 件 l/f 噪声 的产 生原 因。得 到主要 结论 : 解 决 噪声 的主要方法 就是 改变 氮 的分布 。这是 因为 所 有 影 响 CMOS 器 件 1/f 噪 声 的 因素 都 分 布 在 栅 氧 化 层 一硅 界 面 附近 。只要 让氮 掺 杂 入栅 氧 化层 ，但 是 都 远 离栅 氧 化层 一硅 界面 ，就 能让 氮 对 栅 氧 化 层 一硅 界 面 的带 电中心 和 晶格 界 面粗 糙 度 产 生很 少 的影 响 。从 而 不 去触 发增 大 1/f 噪声 的 “开 关 ”。这 样 就 能 防止 掺 氮 栅 氧 化 层 CMOS 器 件 1/ f 噪声 特 性 退 化 。 同时氮 仍 然 分布在 栅 氧 化层 内，改善 了栅 氧 化 层 的特 性 。 本 文研 究 了等 离子 掺氮 栅 氧化 层 这 一先进 工 艺 ，并通 过 设计 实验 ，来证 明等 离 子 掺氮 工 艺 可 以使 得氮远 离 栅 氧化 层 一硅 界 面 ，从 而获得 极 好 的 CMOS 器 件 1/f 噪 声 特 性 . 关键 词 : 90 纳 米 掺氮 栅氧 化层 等 离子 体 氮 掺 杂 1/f 噪声 中 图分类 号 : TN4 A b str a c t W 1th V L S I e ir eu it a dv a n e e d t e e h n o lo g y d e v e loP m en t ， th e in t e gr a 七e d e ir e u it d ev i e e s a r e g e t t in g sm a l ler . A n d in o r d e r t o im P r o v e e le e tr iea l p a r a m e t er s ， T h e th ie k n e s s o f g a t e o x id e w h ie h