以P-型金氧半电晶体触发之矽控整流器元件应用於具有常开型效能之.PDF

以P-型金氧半電晶體觸發之矽控整流器元件 應用於具有常開型效能之靜電放電防護設計 陳世宏 柯明道 林昆賢 工業技術研究院/系統晶片科技中心 摘 要 本文提出一個具有低導通電壓與快速導通速度的常開型效能之新式矽控整 流器元件 ，並有效的應用於全晶片防護設計 。並未利用特殊的元件 ，這個常開型 效能的新式矽控整流器元件是以 P-型金氧半電晶體觸發的設計來實現，可完全 符合於一般互補式金氧半電晶體製程 。此外 ，這個新式的常開型矽控整流器元件 呈現出一個足夠高的導通電壓 因此可以有效的預， 防電性閂鎖現象。這個新式的 常開型效能矽控整流器元件，已經成功的被應用與驗證於 0.25微米互補式金氧 半製程的靜電放電防護設計。 目錄 一. 前言 二. 常開型效能的靜電放電防護設計 2.1常開型矽控整流器之靜電防護設計 2.2常開型矽控整流器之操作原理 2.3常開型矽控整流器之電路佈局 2.4常開型矽控整流器之全晶片靜電放電防護設計 三. 結果與討論 3.1常開型矽控整流器之元件直流特性分析 3.2常開型矽控整流器之導通速度 3.3常開型矽控整流器之傳輸線脈衝特性分析 3.4常開型矽控整流器之靜電放電耐受度 四. 結論 一. 前言 在半導體製程技術的不斷發展與進步 ，互補式金氧半電晶體元件尺寸也由原 本的次微米正式進入了深次微米的時代 。在深次微米互補式金氧半電晶體 因， 為 閘極氧化層的低崩潰電壓 ，元件本身能提供的靜電耐受度將大幅降低所以高效， 能的靜電放電防護設計已成為重要且不可或缺的一個部分 [1]-[3] 。在過去，傳 統的靜電放電防護設計於積體電路(integrated circuits ，簡稱 IC)浮接時(floating) ， 是處於一個關閉的狀態 (initially kept off) ，如圖一所示。當焊電端(pad)施以一靜 電脈衝電壓時 ，這個靜電放電防護元件會受過壓的靜電電壓觸發而導通 ，以將靜 電電流由焊電端導至地端 (ground) 。然而，隨著進入奈米互補式金氧半技術後， 內部電路的閘極氧化層亦愈來愈薄的情況下 ，傳統的靜電放電防護設計可能無法 有效的保護內部電路的超薄閘極氧化層。 圖一 傳統的靜電放電防護元件。靜電放電防護元件是處於一個關閉狀態，當靜 電發生時，再由靜電電壓觸發而導通，以導去靜電電流。 為了更有效的保護奈米製程中的超薄閘極氧化層 ，一種具有常開型(initial-on) 的靜電放電防護設計概念已被提出 ，如圖二所示 。當正常的電路操作下 ，這種常 開型的靜電放電防護元件是處於關閉的狀態。但是，在 IC 處於浮接的狀態下， 這種常開型的靜電放電防護元件已經處於一個導通的狀態了。所以當靜電發生 時 ，這個已經處於導通狀態的靜電放電防護元件 ，將可以快速的導去靜電電流， 並因此能夠有效的保護內部電路。 在積體電路產品中 晶片上的靜電放電防護元件經常是被期望能在較小的電， 路佈局面積下提供一個高的靜電耐受度，以縮小整個 IC的電路佈局面積以節省 成本 。所 以 ，具有優異面積效率(area-efficient)的靜電放電防護元 件，如：矽 控整 流器元件(silicon controlled rectifiers ，簡稱SCR)已經被應用於晶片上的靜電放電 防護設計電路。然而，矽控整流器元件亦有一些缺點，例如：較高的觸發電壓 (trigger voltage ，簡稱Vt1) ，較慢的導通速度(turn-on speed) ，甚至有電性閂鎖 (latchup)的危險。因此，低電壓觸發矽控整流器元件 (low-voltage-triggered SCR) 已經被研究來降低傳統的矽控整流元件之觸發電壓 [4] 。另外 ，許多的電路技巧 亦被研究與提出，如閘極偶合技術(gate-coupled) [5] ，基體觸發技術 (substrate