几种与光有关的微电子器件 - 北京大学软件与微电子学院.PDF

几种与光有关的 微电子器件 北京大学 主要内容 薄膜晶体管TFT 光电器件 电荷耦合器件 薄膜晶体管 薄膜晶体管(Thin Film Transistor， TFT)通常是指利用半导体薄膜材 料制成的绝缘栅场效应晶体管 非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT) 多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT) 碳化硅薄膜晶体管(SiC TFT) TFT的结构 立体结构型 平面结构型 TFT的应用领域 大面积平板显示──有源矩阵液晶显示 (Active Matrix Liquid Crystal Display, 缩写为AMLCD) 电可擦除只读存储器(ROM) 静态随机存储器(SRAM) 线阵或面阵型图像传感器驱动电路 液晶显示器 驱动电压和功耗低、体积小、重量 轻、无X射线辐射等一系列优点 为了降低串扰，提高扫描线数，在 每个像素上配置一个开关器件，形 成有源矩阵液晶显示，消除了像素 间的交叉串扰 TFT有源矩阵的结构 光电子器件 光电子器件：光子担任主要角色的 电子器件 发光器件：将电能转换为光能 发光二极管(Light Emitting Diode，缩 写为LED) 半导体激光器 太阳能电池：将光能转换为电能 光电探测器：利用电子学方法检测光 信号的 辐射跃迁和光 吸收： 在固体中，光 子和电子之间 的相互作用有 三种基本过程： 吸收、自发发 射和受激发射 两个能级之间的三种基本跃迁过程 (a) 吸收 (b) 自发发射 (c) 受激发射 发光器件  发光二极管：靠注入载流子自发复 合而引起的自发辐射；非相干光  半导体激光器则是在外界诱发的作 用下促使注入载流子复合而引起的 受激辐射；相干光，具有单色性好、 方向性强、亮度高等特点 半导体电致发光有着悠久的历史 1907年观察到电流通过硅检波器时发黄光现象 1923年在碳化硅检波器中观察到类似的现象 1955年观察到III-V族化合物中的辐射 1961年观察到磷化镓pn结的发光 60年代初期GaAs晶体制备技术的显著发展 1962年制成GaAs发光二极管和GaAs半导体激光器 异质结的发展对结型发光器件性能的提高也起了很 大的推进作用 半导体发射激光，即要实现受激发射， 必须满足下面三个条件： 通过施加偏压等方法将电子从能量较低的 价带激发到能量较高的导带，产生足够多 的电子空穴对，导致粒子数分布发生反转 形成光谐振腔，使受激辐射光子增生，产 生受激振荡，导致产生的激光沿谐振腔方 向发射 满足一定的阈值条件，使电子增益大于电 子损耗，即激光器的电流密度必须大于产 生受激发射的电流密度阈值 光电探测器 光电探测器：对各种光辐 射进行接收和探测的器件 热探测器 光子探测器 热探测器：利用探测元吸收入射光 (通常是红外光)产生热量，引起温度 上升，然后再借助各种物理效应把温 度的变化转变成电学参量 热探测器进行光电转换的过程： 探测器吸收光辐射引起温度上升