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几种与光有关的微电子器件 - 北京大学软件与微电子学院
几种与光有关的
微电子器件
北京大学
主要内容
薄膜晶体管TFT
光电器件
电荷耦合器件
薄膜晶体管
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,
TFT)通常是指利用半导体薄膜材
料制成的绝缘栅场效应晶体管
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)
碳化硅薄膜晶体管(SiC TFT)
TFT的结构
立体结构型
平面结构型
TFT的应用领域
大面积平板显示──有源矩阵液晶显示
(Active Matrix Liquid Crystal Display,
缩写为AMLCD)
电可擦除只读存储器(ROM)
静态随机存储器(SRAM)
线阵或面阵型图像传感器驱动电路
液晶显示器
驱动电压和功耗低、体积小、重量
轻、无X射线辐射等一系列优点
为了降低串扰,提高扫描线数,在
每个像素上配置一个开关器件,形
成有源矩阵液晶显示,消除了像素
间的交叉串扰
TFT有源矩阵的结构
光电子器件
光电子器件:光子担任主要角色的
电子器件
发光器件:将电能转换为光能
发光二极管(Light Emitting Diode,缩
写为LED)
半导体激光器
太阳能电池:将光能转换为电能
光电探测器:利用电子学方法检测光
信号的
辐射跃迁和光
吸收:
在固体中,光
子和电子之间
的相互作用有
三种基本过程:
吸收、自发发
射和受激发射
两个能级之间的三种基本跃迁过程
(a) 吸收 (b) 自发发射 (c) 受激发射
发光器件
发光二极管:靠注入载流子自发复
合而引起的自发辐射;非相干光
半导体激光器则是在外界诱发的作
用下促使注入载流子复合而引起的
受激辐射;相干光,具有单色性好、
方向性强、亮度高等特点
半导体电致发光有着悠久的历史
1907年观察到电流通过硅检波器时发黄光现象
1923年在碳化硅检波器中观察到类似的现象
1955年观察到III-V族化合物中的辐射
1961年观察到磷化镓pn结的发光
60年代初期GaAs晶体制备技术的显著发展
1962年制成GaAs发光二极管和GaAs半导体激光器
异质结的发展对结型发光器件性能的提高也起了很
大的推进作用
半导体发射激光,即要实现受激发射,
必须满足下面三个条件:
通过施加偏压等方法将电子从能量较低的
价带激发到能量较高的导带,产生足够多
的电子空穴对,导致粒子数分布发生反转
形成光谐振腔,使受激辐射光子增生,产
生受激振荡,导致产生的激光沿谐振腔方
向发射
满足一定的阈值条件,使电子增益大于电
子损耗,即激光器的电流密度必须大于产
生受激发射的电流密度阈值
光电探测器
光电探测器:对各种光辐
射进行接收和探测的器件
热探测器
光子探测器
热探测器:利用探测元吸收入射光
(通常是红外光)产生热量,引起温度
上升,然后再借助各种物理效应把温
度的变化转变成电学参量
热探测器进行光电转换的过程:
探测器吸收光辐射引起温度上升
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