半导体激光二极管触发GaAs 光导开关 - 太赫兹科学与电子信息学报.PDF

第 12 卷 第 6 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．12，No．6 2014 年 12 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Dec．，2014 文章编号：2095-4980(2014)06-0804-04 半导体激光二极管触发 GaAs 光导开关 a a a a b 吴朝阳 ，范昭奇 ，陆 巍 ，杨周炳 ，罗剑波 ( 中国工程物理研究院 a.应用电子学研究所； b. 电子工程研究所，四川 绵阳 621999) 摘 要 ：半导体激光二极管触发下砷化镓(GaAs)光导开关工作于雪崩模式，为此设计了异面体 结构的 GaAs 光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2 mm ，电极间隙为3 mm ，利用半 导体激光二极管对开关进行触发实验。当开关充电电压超过8 kV 后，开关输出脉冲幅度显著增强， 输出脉冲前沿快于光脉冲，开关开始雪崩工作模式。随着开关电场不断增加，开关输出电压幅值 也线性增加，但开关输出波形没有改变。对开关抖动进行测试，其测试结果显示开关偏压对抖动影 响很大，随着开关偏压增加，开关抖动减小，当开关偏压升至15 kV 时，开关获得最小抖动约500 ps 。 关键词 ：砷化镓；光导开关；非线性；半导体二极管 中图分类号 ：TN31 文献标识码： A doi ：10.11805/TKYDA201406.0804 Semiconductor laser diode triggered GaAs Photoconductive Semiconductor Switch a a a a b WU Zhao-yang ，FAN Zhao-qi ，LU Wei ，YANG Zhou-bing ，LUO Jian-bo (a.Institute of Applied Electronics；b.Institute of Electronic Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China) Abstract： Semiconductor laser diode triggered GaAs Photoconductive Semiconductor Switch(PCSS) works in avalanche mode, therefore, a vertical GaAs PCSS with bulk structure is fabricated to enhance the switch field. The proposed switch is of 2 mm thickness and 3 mm gap, and triggered by laser diode. When charge voltage exceeds 8 kV, the amplitude of output voltage impulse increases rapidly, and the output impulse front is faster than that of the laser