场效电晶体工作原理介绍.PDF

場效電晶體工作原理介紹 投稿類別：工程技術類 篇名： 場效電晶體工作原理介紹 作者： 鄧鴻志。國立楊梅高中。高三資訊科甲班 劉美妤。國立楊梅高中。高三資訊科甲班 指導老師： 陳建旺 老師 1 場效電晶體工作原理介紹 壹●前言 一、研究目的與動機 剛好這次在課本中學到場效電晶體(FET)，那時對 FET 並不是很了解，但又 很想把它弄懂，所以我想藉由這次的小論文，來對 FET 做更深入研究，去探討 它的基本特性，一方面可以增加對電子方面知識還有同整資料和理解能力。 二、研究方法 貳●正文 一、FET 的分類 2 場效電晶體工作原理介紹 二、FET 介紹 FET 導電由主要載子決定，即 N 通道為電子，P 通道為電洞，故為單載體元 件。 FET 分三極：閘極(G)，利用電壓控制電流的開關。汲極(D)，吸取載子的地 方。源極(S)，提供載子的來源地方。 FET 有分三種工作區：截止區，歐姆區，飽和區(主動區)。 FET 的優點為雜訊較小，雜訊較小 ，可做低雜訊放大器可做低雜訊放大器。。受輻射影響小受輻射影響小，，抗輻射抗輻射。。有記有記 雜訊較小雜訊較小 ，，可做低雜訊放大器可做低雜訊放大器 。。受輻射影響小受輻射影響小 ，，抗輻射抗輻射 。。有記有記 憶工能，憶工能 ，可以儲存資料可以儲存資料。。(戴建耘， 1988) 憶工能憶工能 ，，可以儲存資料可以儲存資料 。。 FET 的缺點為增益和頻寬成積小的缺點為增益和頻寬成積小，，操作速度慢操作速度慢，，易受靜電效應破壞易受靜電效應破壞。。(戴建 的缺點為增益和頻寬成積的缺點為增益和頻寬成積小小 ，，操作速度慢操作速度慢 ，，易受靜電效應破壞易受靜電效應破壞 。。 耘， 1988) (一)MOSFET 1、增強型 MOSFET(N 通道) 增強型沒有預設通道，用絕緣體二氧化矽來當控制閘來控制電流，通常以源 極為參考點。他具有開關的特性，常應用在微處理器和電腦記憶體中。 當未加閘極電壓 VGS 時，汲極電流 ID=0，如(圖二)、(圖五)所示。 當要加閘極電壓 VGS 時，因為 N 通道多數載子為電子，所以汲極 VDS 電壓 要加上正電壓來吸取電子，因為增強型的 VGS 要接順偏(D、G 同號)，所以 VGS 也要接正電壓，當閘極電壓加到大於臨界電壓 VT 時，電洞就會被電子所充滿， 在二氧化矽附近產生一條 N 通道，如(圖三)、(圖五)所示。 如果在 VGS 不變情況下加大 VDS，這時靠近 D 極端空間會變小，DS 兩端 通道高度不相等，會形成梯型通道，到了一定程度，ID 不會再繼續增加而維持 定值 ，如(圖四)、(圖五)所示。 3 場效電晶體工作原理介紹 源極 閘極 汲極 S G D