氮化镓低维纳米结构的制备与表征 - 山东大学学报(工学版).PDF

第 卷 第 期 ３７ １ 山 东 大 学 学 报 （工 学 版） 年 月 ２００７ ２ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ．１ （ ） Ｆｅｂ．２００７ ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＨＡＮＤＯＮＧＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧＳＣＩＥＮＣＥ 文章编号： （ ） １６７２３９６１２００７０１００１００５ 氮化镓低维纳米结构的制备与表征 吕 伟，吴莉莉，邹 科，吴佑实 （山东大学 材料科学与工程学院， 山东 济南 ） ２５００６１ 摘要：主要是以氧化镓为原料，通过气相沉积法，制备出 纳米线和纳米带 通过 射线衍射（ ），扫面电镜 ＧａＮ ． Ｘ－ ＸＲＤ （ ）和高分辨透射电镜（ ）等测试手段对其形貌进行了表征和分析 研究了实验过程中工艺条件的改变对 ＳＥＭ ＨＲＴＥＭ ． 所制备 纳米结构形貌特征的影响 对两种 纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析 ＧａＮ ． ＧａＮ ． 关键词：氮化镓；低维纳米结构；表征 中图分类号： 文献标识码： Ｏ６１１ Ａ ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｌｏｗｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＧａＮｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｅｓ ¨ ， ， ， ＬＵＷｅｉ ＷＵＬｉｌｉ ＺＯＵＫｅ ＷＵＹｏｕｓｈｉ （ ， ， ， ） ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ＳｈａｎｄｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｊｉｎａｎ２５００６１ Ｃｈｉｎａ ： ＡｂｓｔｒａｃｔＧａＮｎａｎｏｗｉｒｅｓａｎｄｎａｎｏｂｅｌｔｓｗｅｒｅｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｖｉａｔｈｅｖａｐｏｒｐｈａｓｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｗｉｔｈＧａＮａｓ ， ｉｎｉｔｉａｔｉｎｇｒｅａｇｅｎｔｓ．ＴｈｅｐｒｏｄｕｃｔｓｗｅｒｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｂｙＸＲＤ ＳＥＭａｎｄＨＲＴＥＭ．Ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓｔｏｔｈｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｏｆＧＡＮｗａｓｓｔｕｄｉｅｄ．ＴｈｅＲａｍａｎｓｐｅｃｔｒａｏｆＧａＮｎａｎｏｗｉｒｅｓａｎｄ ｎａｎｏｂｅｌｔｓｗｅｒｅａｌｓｏａｎａｌｙｚｅｄ． ： ； ； Ｋｅｙｗｏｒｄｓｇａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅｌｏｗｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｅｓｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ＧａＮ低维材料的研究工作开展的相对比较晚． ０ 引言 起先的报道大多是应用模板法制备一维氮化镓纳米