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PECVD原理与工艺.pdf
PECVD 氧化原理与工艺
钟 飞
2009-9-28 1
主要内容
PECVD 原理与工艺
CVD 原理
PECVD设备
PECVD 工艺
PECVD 样品准备
氧化原理与工艺
氧化机理
干氧氧化
湿氧氧化
火焰式湿法氧化
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CVD 原理
CVD 定义
CVD 传输及反应步骤
CVD 特点
CVD分类
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CVD 原理
CVD 定义
CVD 传输及反应步骤
CVD 特点
CVD分类
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CVD 定义
定义:
化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 是指以
单独的或综合的利用热能、等离子体放电、紫外光照射等形
式的能量,使气态物质在固体的表面上发生化学反应并在该
表面上沉积,形成稳定的固态薄膜的过程。
应用:
介质薄膜(例如 SiO2、SiNx等)
半导体薄膜(例如 GaAs 、GaN等)
导体薄膜(例如钨)
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CVD 原理
CVD 定义
CVD 传输及反应步骤
CVD 特点
CVD分类
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CVD 传输及反应步骤图
1)反应物传
输 CVD反应器
气体传输
7)副产物的脱附
2)生成次生分 8)副产物移除
子 副产物 出口
3)次生分子扩
散 5)次生分子在衬 6)表面反应 连续薄膜
底表面扩散
4)次生分子吸附
衬底
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圖11.8
CVD 原理
CVD 定义
CVD 传输及反应步骤
CVD 特点
CVD分类
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