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硅片表面球形粒子散射研究
35 4 V o.l 35 No. 4
2006 4 ACTA PHOTON ICA SIN ICA A pril 2006
*
1, 2 1 1
曹 楷 程兆谷 高海军
(1 , 201800)
(2 , 100039)
为求解硅片表 微小粒子在任意线偏振平 入射光照射下的散射光光强分布, 选择了基
于 M ie散射的杨氏模型为依据, 推导了该模型下散射光强空间分布的计算方法,并给出了 0. 54 μm
球形粒子在垂直、倾斜入射下光强空间分布的模拟计算结果, 以及入射平 第一象限内散射光强与
国外已发表实验结果的比较 .
硅片;散射;米氏理论;杨氏模型;微分散射截
TN247 A
0
(VLSI)
0. 1 μm . IC
,
,, VLSI
VLSI
[1]
.
VLSI
,,
, .VLS I 图1 M ie理论
, Fig. 1 M ie theory
[2]
. 2
R. P. Young[7]
, ( 2).,
1 2
, (I cat0 and I cat0 ),
.
1
、,
Z ,
X ,P , 1.OX Z
[3]
, OPZ .M ie
2
λI0 2 2 图 2 杨氏模型
Iφ= |s (θ)|in φ (1)
2 2 1
4πr Fig. 2 Unob tructed reflection m odel
2 2 2
λI0 2 2 (I cat0 ) Ξ(Iref0 ),
I = |s (θ)|co φ (2)
θ 2 2 2 , ,
4πr
1 2
I , λ, r=OP, s s I =I +I (3)
0 1 2 cat0 ref0
[8, 9]
, [4
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