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EBSD原理

背散射电子衍射的原理 Electron Back-Scatter(ed) Diffraction (EBSD) 背散射电子衍射原理 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法 背散射电子衍射花样的采集与标定 背散射电子衍射分析基本原理 背散射电子衍射技术原理 控制方式 电子束控制 样品台控制 背散射电子衍射仪的工作原理图 背散射电子衍射技术原理 Beam O 散射电子强度随散射角的变化 EBSD样品相对于入射束的放置 背散射电子衍射技术原理 S 菊池衍射花样的产生 背散射电子衍射技术原理 菊池衍射花样的接收 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射的空间分辨率 1000 ) o ( 1.5 W-SEM 5 ) 20 keV, Al 9 m θ n y ( c 20 keV, Al n a 1.0 o r i u t 100 c u c l a o r higher keV s FEGSEM a e l 0.5 R u g higher keV n A 10 10 100 1000 0 100 200 300 400 500 Probe current (nA) Probe current (nA) 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射的空间分辨率 0°无倾斜 70 °倾斜 背散射电子衍射技术原理 EBSD空间分辨率的测定 (a )平行于转轴,(b)

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