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1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计 - 微电子学
第 卷第 期 微 电 子 学 ,
46 5 Vol.46 No.5
年 月
2016 10 Microelectronics Oct.2016
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1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计
, , ,
陈 天 张 旭 廖永亮 于绍欣
( , )
无锡华润微电子有限公司 江苏 无锡 214000
: , 、 、
摘 要 利用二维半导体工艺及器件模拟工具 从结掺杂浓度 阱与 环间距 环尺寸控制
P P P 3
,
个方面分析了半绝缘多晶硅终端结构的击穿电压 提出了应用于 1200V沟槽栅场截止型 IGBT
。 ,
的终端解决方案 从结的深度和终端长度两方面 将 SIPOS终端技术与标准的场环场板终端技术
。 , ,
进行了对比 结果表明 采用SIPOS终端结构并结合降低表面场技术 使得终端尺寸有效减小了
, , ,
58% 并且 采用SIPOS技术的终端区域击穿电压受结深的影响较小 有利于实际制造工艺的控制
和 IGBT器件稳定性的提升。
: ; ; ; ;
关键词 IGBT SIPOS 终端 场环 场板
中图分类号: + 文献标识码: 文章编号: ( )
TN323.4 A 1004-3365201605-0716-05
Desinofa1200VTrenchGateFieldSto IGBTTerminal
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, , ,
CHENTian ZHANGXu LIAOYonlian YUShaoxin
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( , , , )
WuxiCentralSemiconductorManuacturin Cororation Wuxi Jiansu214000 P.R.China
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Abstract:
A 1200V trench atefieldsto IGBT terminalwasdesinedb usin thesemiinsulatin
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