JCS20N65H - 吉林华微电子股份有限公司.PDF

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65H 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.5Ω （@Vgs=10V） Qg-typ 45nC 用途 APPLICATIONS 高频开关电源  High frequency switching  电子镇流器 mode power supply LED 电源  Electronic ballast  LED power supply 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 Low gate charge 低Crss (典型值11pF) Low Crss (typical 11pF ) 开关速度快 Fast switching TO-220MF TO-247 产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested 高抗dv/dt 能力 Improved dv/dt capability RoHS 产品 RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 无卤素 器件重量 订 货 型 号 印 记 封 装 包 装 Halogen Device Order codes Marking Package Packaging Free Weight JCS20N65WH-O-W-N-B JCS20N65WH TO-247 否 NO 条管 Tube 5.20 g(typ) JCS20N65FH-O-F-N-B JCS20N65FH TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ) JCS20N65FH-R-F-N-B JCS20N65FH TO-220MF 是 YES 条管 Tube 2.20 g(typ) 版本：20 1602C 1/ 11 R JCS20N65H 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 数 值 单 项 目 符 号