开关电源中MOSFET失效案例分析.PDF

开关电源中MOSFET失效案例分析 陈桥梁 西安龙腾新能源科技发展有限公司 主要内容 • 雪崩特性及失效分析 • 体二极管特性及失效分析 • 安全工作区及失效分析 MOSFET雪崩能力 雪崩能力 雪崩电流 雪崩能量 IAS ，IAR EAS ，EAR 寄生BJT导通，MOSFET 趋 MOSFET局部元胞过热损 于开通。 坏。 抗雪崩能力测试电路 TJM–TC = PDM*ZθJC (t) MOSFET雪崩能力 雪崩电流IAS和IAR :下图ID峰值 单次雪崩能量EAS：一次性雪崩期间所能承受的能量， 以Tch=150℃ 为极限 重复雪崩能量EAR：所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量， 以Tch=150℃ 为极限 单次雪崩 重复雪崩 5 雪崩能量和初始结温以及电流的关系 雪崩电流和雪崩时间的关系 MOSFET雪崩电流路径及影响 Vac 前馈 RCD MOV10D561 • Surge浪涌 • 输入电压突变 简化后的Flyback Case 1 L1 R1 C1 TX1 R2 Lm C2 P1 S1 Vbus D2 D1 Vds Vav Q1 简化后的Flyback Case 2 V V -V bus