Y2O3对SPS烧结纳米AlN粉末的影响.pdf

第36卷 增刊3 vol 3 稀有金属材料与工程 36，S叩pl 2007年 9月 RAREMElALMATERIALSm4DENG眦ERIN0 杜学丽1．一，秦明礼1，冯培忠1，曲选辉 (1北京科技太学材料科学与工程学院，北京100083) (2天津理工大学材料科学与工程学院，天津300191) 摘要：利用低温燃烧法合成出了平均粒度为100nm的AⅢ粉末，将台成的粉末采用放电等离于(sPs)技术进行低 温强化烧结，研究Y20，对烧结过程以及烧结试样特性的影响。xRD进行物相分析，sEM观察断口形貌，排水法测烧 结试样的密度，激光闪光法测烧结试样的热导率。实验表明：采用低温燃烧法合成出的AlN粉末具有非常好的烧结性 末在sPs低温强化烧结过程仍有促进作用，使试样在更低的温度下烧结致密．并且晶粒更细小，从而热导率也较低； 加入Y20，的烧结试样晶界强度增加，断口中有较多的穿晶断裂形式，街不加入Y20，的烧结试祥主要阻沿晶形式断裂。 关键词：AlN陶瓷；氧化钇：低温燃烧法：放电等离子烧结 中图法分类号：TOl33 文献标识码：A 丈章编号：l002—185x(2007)s3一078-04 应用于梯度功能材料、金属基复合材料、纤维增强复 1 引言 合材料、纳米材料、多孔材料等多种材料的制各【”。 AlN陶瓷具有高的热导率(理论热导率为319本实验以低温自蔓延法合成的AlN粉末为原料， w·m～·K“)、低的介电常数(1MHz下约为80)、与 K，48×10。6K。1)、 硅相匹配的热膨胀系数(293～773 程以及烧结试样特性的影响。 高电阻(体电阻率10“Q·cm)、低密度(理论密度3．26 2实验方法 g·cmo)和无毒害等特点，是理想的大规模集成电路基 2 板和封装材料。由于AlN本身自扩散系数小，烧结非 1低温燃烧法合成AlN粉末 常困难，通常使用稀土金属氧化物和碱士金属氧化物 作为烧结助剂来促进烧结。但是烧结温度仍然要在 白色晶体；分析纯葡萄糖(c6H1206H20)，白色粉末 1800℃以上【l～”。 状物质；分析纯尿素(cO(NH2)2)，白色晶体。 AlN粉末足制各AIN陶瓷的原料，它的性质对AlN按照一定的配比称取铝源、碳源和尿素，加水搅 陶瓷的制各工艺以及陶瓷性能有直接影响。目前，AlN 拌配制成溶液。将盛有上述混合溶液的烧杯置于可控 粉末的合成方法主要有铝粉直接氮化法、碳热还原法、 温电炉上不断加热，反应得到铝源和碳源的混合前驱 自蔓延高温合成法、化学气相沉积法(cvD)等【4j】。 物。将前驱物在流动氯气中进行氮化。氨化后的产物 combustion 低温燃烧台成(Low—TeTnperame除碳后得到AlN粉末。 2 2 Am粉末的烧结 svnthesis，Lcs、法是合成AlN粉末的一种新工艺【6J。是 将水溶性的有机碳源如葡萄糖等加入硝酸铝和尿素的 混合溶液，利用液相将铝源和碳源在分子水平上均匀 助剂(A)和不加入任何烧结助剂(B)，采用西10mm 混合后，利用低温燃烧合成制备A1203+c混合前驱物， 中、40MPa压力下，在1600℃保温4 然后制备出AlN粉末。