半导体物理第1章1.pdf

第1章 半导体中的电子状态 本章重点 半导体材料中的电子状态及其运动规律 领会“结构决定性质” 处理方法 单电子近似——能带论 单电子近似 假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原 子核势场及其它电子的平均势场中运动。 该势场具有与晶格同周期的周期性势场。 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 预备知识 晶体（crystal ） 由周期排列的原子构成的物体 重要的半导体晶体 单质：硅、锗 化合物：砷化镓、碳化硅、氮化镓 晶格（lattice） 周期性结构： 如简立方、面心立方、体心立方等。 晶胞（cell ） 周期性重复单元 固体物理学原胞：最小重复单元 结晶学原胞： 为反映对称性选取的最小重复单元的几倍 1.1.1 金刚石型结构和共价键 硅、锗：共价半导体 硅、锗晶体结构：金刚石结构 Si Ge +32 2 8 18 4 +14 2 8 4 金刚石结构 每个原子周围有四个最邻近的原子，这四个原 子处于正四面体的顶角上。 任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电 子为该两个原子所共有，并形成稳定的共价键 结构。 共价键夹角：109˚28’ 硅和锗的共价键结构 共价键 +4 +4 共用电子对 +4 +4 金刚石结构结晶学原胞 两个面心立方沿立方体空间对角线互相位移了 四分之一的空间对角线长度套构而成。 金刚石结构固体物理学原胞 中心有原子的正四面体结构 金刚石结构原子在晶胞内的排列情况 顶角八个，贡献1个原子； 面心六个，贡献3个原子； 晶胞内部4个； 共计8个原子。 硅、锗基本物理参数 一、晶格常数 硅：0.543089nm 锗：0.565754nm 3 二、原子密度（个/cm ） 硅：5.00 ×1022 锗：4.42 ×1022 三、共价半径 硅：0.117nm 锗：0.122nm 1.1.2 闪锌矿型结构和混合键 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 结晶学原胞结构特点 两类原子各自组成的面心立方晶格，沿 空间对角线方向彼此位移四分之一空间 对角线长度套构而成。 与金刚石结构的区别 共价键具有一定的极性（两类原子的电 负性不同），因此晶体不同晶面的性质 不同。 不同双原子复式晶格。 常见闪锌矿结构半导体材料 Ⅲ-Ⅴ族化合物 部分Ⅱ-Ⅵ族化合物，如硒化汞，碲化汞 等半金属材料。 1.1.3 纤锌矿型结构 与闪锌矿型结构相比 相同点 以正四面体结构为基础构成 区别 具有六方对称性，而非立方对称性 共价键的离子性更强 1.2半导体中的电子状态和能带 1.2.1原子的能级和晶体的能带 自由电子 孤立原子中的电子 晶体中的电子 严格周期性势场 不受任何电荷作 本身原子核及其他 （周期排列的原子核 用（势场为零） 电子的作用 势场及大量电子的平 均势场） 能带模型： 孤立原子、电子有确定的能级结构。 在固体中则不同，由于原子之间距离很近，相互 作用很强，在晶体中电子在理想的周期势场内 作共有化运动 。 能带成因 当N个原子