新型场致电子发射硅纳米尖锥阵列的制备及特性分析.pdfVIP

摘要 硅基场致电子发射纳米结构材料的研制是目前真空微电子器件研究领域的 一个重要课题。硅纳米尖锥由于具有良好的场致电子发射性能，是近期有可能在 真空纳微电子器件应用中有所突破的纳米材料之一。 本论文采用微波等离子体化学气相沉积(MPECVD)方法，制备出高密度(108 个／cm2)的尖锥顶端覆盖有碳化硅(SIC)颗粒的硅纳米尖锥阵列，纳米尖锥高径 比为40，结构有利于场致电子发射。同时，我们提出“纳米颗粒自组装沉积辅 以氢气等离子体刻蚀的机制”对硅纳米尖锥形成的机理进行了解释。 我们通过氢气等离子体处理的方法将上述尖锥顶端的SiC颗粒转化为非晶 硅(a．Si)颗粒，同时锐化了尖锥。在此基础上，我们采用化学腐蚀法获得了尖 锥顶端没有覆盖颗粒的硅纳米尖锥。 在上述研究基础上，我们发展了一种新的方法，利用金刚石纳米颗粒作为掩 模，研制出尖锥项端覆盖有金刚石纳米颗粒的硅纳米尖锥阵列。 我们对上述四种硅纳米尖锥阵列的场致电子发射特性进行了系统的测试和 比较。结果表明，尖锥顶端覆盖有金刚石纳米颗粒的硅纳米尖锥阵列具有最优越 的场致电子发射特性，能够获得2．65～3．33 MV／m的场致电子发射开启电场。我 们认为，新型硅纳米尖锥顶端颗粒的表面电子亲和势对硅纳米尖锥的场致电子发 射特性起到了决定性的作用。并且，我们利用限流电阻效应分析了这些硅纳米尖 锥阵列场致电子发射特性均匀性的差异。 关键词：新型硅纳米尖锥阵列、场致电子发射、微波等离子体增强化学气相沉积 (MPECVD) Abstract to is Dueitse收neⅡtfieldelectronemission characteristics,Sirlanotip arrays the oneof SinanostructttrcsforVaCllUmmiero／nano·electronicsdevices promising applications． Inthis anovel w池USeofself-assembledsiliconcarbide tlmsls,byprocedure nanomasksultra (siq laigla-dcnsity(～108／cm2)Sinanotips withSiC be inacrt4／r12 treatment a apexesmayprepared plasma byemployi．g microwavecnhancedelkmieal w鹤 plasma vapottr foundthatthcSi fabricatedarc in and nanotips typically-400hmheight20-40蛐in resolutionTEM indicatedthatthe of radius．High investigation al弛xcs the．anotips aireSiC mm哪咖^iclcs． Ina I-12 SiC beconvertedintoan subseq