氧化锌、氧化亚铜基稀磁半导体材料的制备及性能分析.pdfVIP

摘要 摘要 自旋电子学通过将电子自旋的性质应用于信息处理中，与使用电子电荷属 性的现有信息处理相比，有望制成集成度高、耗电量低、处理速度高的新型自 旋电子器件。宽禁带稀磁半导体材料制备及其自旋相关输运性质的研究是当前 自旋电子学领域的前沿和热点之一。 本论文利用磁控溅射的方法分别制备了Cu／Cu氧化物核一壳颗粒结构和Cr 掺杂ZnO稀磁半导体薄膜。以探究铁磁性的真正来源。 实验制备的Cu／Cu氧化物核一壳(core．shell)样品都具有明显的颗粒结构， 经过成分分析发现Cu元素在氧化物中都是以+l价离子的形式存在。样品是由 Cu构成的核层和由Cu20构成的壳层组成，材料中不含有CuO结构，也不含有 其它杂质和污染物。磁性测量发现所有样品都具有室温铁磁性，这是材料本身 的内禀属性，与磁性杂质和第二相等其它结构无关。通过对不同厚度和颗粒尺 寸样品的对比，可以判断出样品的铁磁性是一种界面效应，其强度与Cu／Cu20 界面面积的大小密切相关，由此推断铁磁性很有可能是由分布于界面处的点缺 陷引起的。 实验制备的Cr：ZnO薄膜具有六角形纤锌矿结构，XRD和TEM图样表明 样品中不含有其它杂质或第二相。磁性测量表明包括未掺杂样品在内的不同掺 杂浓度的薄膜都具有室温铁磁性，ZFC／FC曲线证明样品居里温度高于任何可能 形成的其它相，因此可以排除这些结构对磁性的影响，说明铁磁性是样品本身 的性质。PL谱测得样品的磁性同材料中点缺陷的浓度变化密切相关，通过覆盖 一层Zn膜并退火的过程使锌填隙的浓度增加，观察到铁磁性也有所增强，由此 可以确定锌填隙是影响铁磁性的决定性要素。 关键词：自旋电子学稀磁半导体 核．壳结构磁控溅射室温铁磁性 I Abstract Abstract electron information is to Byusing sp证to processing,Spintronicsexpected achievenew deviceswhichhave integration,lowpowerconsumption, spintronics high tothe information whichuse llighprocessingspeedcompareexisting processing on andthespin-relatedtransport preparation chargeproperties．Investigation Dilute Semiconductorsisoneofthefrontand ofthebind-band properties Magnetic hot inthecurrentfieldof spots spintronics． use methodto Cu／Cuoxide Inthis we magnetronsputtering prepare study Cr ZnO Diluted core-shellstructure filmand thin．fill Magnetic granular doped materialsto thetrue of Semiconductors