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1W级大功率白光LED发光效率研究 李炳乾 (佛山科技学院物理系,广东佛山528000) 摘 要: 研究了 1W级大功率白光发光二极管(LED)发光效率随功率变化的关系。实验结 果表明,功率在0～0.11 W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11 W时,发光效 率为 15.6 lm/W;当功率大于0.11 W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效 率降低的速度越来越快。在器件额定功率 1W附近,发光效率为 13 lm/W。发光效率随功率 增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的。 关键词：大功率白光发光二极管;半导体照明;光通量;发光效率 文章编号: 1001-5868 (2005) 04-0314-03 中图分类号: TN383. 1文献标识码:: A LI Bing2qian (Dept.of Physics,Foshan University, Foshan 528000,CHN) Abstract : ～0.11W.At theinputpowerof0.11Wlumenefficiencyis15.6lm/ s close to 13 lm/ current. Key words : lumen efficiency 1 引言 以大功率白光发光二极管(LED)器件为核心的半导体照明技术具有体积小、全固态、长寿命、 环保、省电等优点,已经在状态指示和中小功率的特种照明领域得到广泛应用[1]。目前, 商品化的大功率白光L ED功率已经达到5W,发光效率也已经达到25lm/ W ,其发光效率 (流明效率)已经超过白炽灯,但是如果要进入民用照明市场,还需要在降低成本的同时,继 续增加单个器件的功率,提高发光效率。根据美国光电产业协会(O IDA)的研究报告[2] , 只有当单个封装的大功率L ED器件功率达到7.5 W以上,发光效率超过200 lm/ W ,才有 可能替代现有的各种照明光源,成为民用照明的主要光源。对于以载流子复合为主要发光机 理的LED ,如何在增加LED功率的同时,提高发光效率,成为大功率LED照明光源研究的核 心问题。本文对大功率白光发光二极管光通量、发光效率随输入电功率变化的规律进行了研 究,并且同白炽灯进行了比较,指出大功率白光L ED在照明领域应用过程中,降低器件及系 统热阻[ 3 ] ,从而降低芯片温度;优化LED外延层结构,减少电流泄漏,增加电子、空穴在 结区的复合几率,是提高L ED在大功率下发光效率的两个主要途径。2 光通量和发光效 率的测量光源的光通量Φ是指单位时间内通过4π立体角的可见光能量,它的单位是lm。发 光效率E是指光源所发出的光通量与消耗的电功率P之比,单位是 lm/ W ,光源的发光效 率可以通过下式计算: E =Φ/ P (1)对于LED和白炽灯等直流供电的光源,消耗的 电功率P等于加在光源两端的电压V和流过电流 I的乘积。光通量和发光效率的测量采用 杭州远方公司生产的L ED610光通量测试仪,测量原理如图 1所示[ 4 ]。光源放在积分 球的中心,积分球又称光通球或球形光度计,它是一个内部空的完整球壳,内壁涂白色漫反射 层,球内放待测光源,光源发射并经球面漫反射的一部分光线通过球壁上的窗口射到光探测 器上,在光探测器前面装V (λ)滤光器,保证光探测器的测量值准确并接近人眼视觉函数。 由探测器将光信号转化为光电流信号,经过取样、放大后,经AD转化为数字信号送入微处 理器,再经过计算和定校即可得到光通量值,通过仪表面板上光通量部分的数码管显示出来。 光源采用恒流源供电,供电的同时测量光源两端的电压和流过LED的电流。 图1 LED光通量和发光效率的测量原理 3 大功率白光LED的发光效率 3. 1样品制备 实验样品采用Cree公司的大尺寸蓝光LED芯片涂敷黄色YA G荧光粉制作,芯片为正方形 结构,边长为900μm。芯片采用Cree公司特有的SiC衬底,利用MOCVD技术在衬底上依 次生长GaN缓冲层、n型GaN、In GaN多量子阱发光层、p型GaN层[5 ]。为了降低大 功率白光LED热阻,芯片采用倒装结构,封装时用共晶焊料将芯片焊接在AlN管壳上,并将 管壳焊接在金属线路板上,使得p n结上产生的热量能够迅速传递到周围环境,保证p n结 在大输入电流下维持在较低温度,避免出现器件发光效率和可靠性随着功率提高