电子倍增型GaAs光阴极实验研究 - 电子学报.PDF

第 期 电 子 学 报 ８ Ｖｏｌ．４１ Ｎｏ．８ 年 月 ２０１３ ８ ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ａｕｇ． ２０１３ 电子倍增型ＧａＡｓ光阴极实验研究 ， ， ，， ， ， １２ １２ １２３ １２ １２ 胡仓陆 ，郭 晖 ，焦岗成 ，彭岔霞 ，冯 驰 ， ， ， ， ， １２ １２ １２ １２ 徐晓兵 ，周玉鉴 ，成 伟 ，王书菲 （ 微光夜视技术重点实验室，陕西西安 ； 北方夜视科技集团有限公司，云南昆明 ； １． ７１００６５２． ６５０２２３ 西北工业大学材料学院，凝固技术国家重点实验室，陕西西安 ） ３． ７１００７２ 摘 要： 电子倍增型ＧａＡｓ光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件，通过在常规ＧａＡｓ光阴极中引入 雪崩电子倍增层制备了 光阴极 电子倍增器一体化组件，研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能 对组件 ＧａＡｓ ／ ． 热清洗工艺前后的 特性进行了对比测试，结果表明，该组件可以承受 的热清洗温度，并获得了 倍的电 ＩＶ ５８０℃ １２６ 子增益； 处的探测灵敏度 ；暗电流密度 －５ ２ ８８０ｎｍ ≥３８７ｍＡ／ｗ ≤６７９×１０ ｍＡ／ｃｍ． 关键词： 砷化镓；光阴极；雪崩倍增；电子增益；负电子亲和势 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ２１ Ａ ０３７２２１１２２０１３０８１５４９０６ 电子学报 ： ： ： ＵＲＬ ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ ＤＯＩ １０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１３．０８．０１５ ＡｎＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌＳｔｕｄｙｏｎＧａＡｓＰｈｏｔｏｃａｔｈｏｄｅｗｉｔｈＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭｕｌｔｉｐｌｉｅｒ ， ， ，， ， ， １２ １２ １２３ １２ １２ ， ， ， ， ，