砷化镓型太阳能电池的结构及其特性.PDF

砷化鎵型太陽能電池的結構及其特性 砷化鎵太陽能電池的基本特性，分別地有： 1. 高的光電能量轉換效率。 2. 適合於大面積薄膜化製程。 3. 高的抗輻射線性能。 4. 可耐高溫的操作。 5. 低成本而高效率化的生產製程。 6. 適用於太空衛星系統。 7. 可設計為特殊性光波長吸收的太陽能電池。 8. 極適合於聚光型或集光型 (Concentrator) 太 陽能電池應用。 9. 具有正負電極導電支架而易於插件安排 代表性多接面型太陽能電池元件的基本結構 從能隙大小來看，磷化銦 (InP) 、砷化鎵 (GaAs) 、以及碲化鎘(CdTe) 等 半導體材料， 是極適合於製作高效率的太陽能電池。至 於，能帶間隙小 於 1.4~1.5 電子伏特的半 導體材料，其光波的波長是較大的而分布 於紅外 光的光譜區域，因而是適合於紅外 光的光波吸收。  倘若將不同能隙的半導體材料，進行不 同薄膜層的堆疊，可以使其波長 感度變得 較大的區域分布，因而可以吸收不同波長 的光譜，進而提升此 一太陽能電池的光電 轉換效率。 集光型太陽能電池的光電轉換效率及其電池操作溫度的關係圖 砷化鎵薄膜成長於p 鍺基板 所製作的太陽 能電池，其元件的基本結構是 n -p (GaAs) (GaAs) -p -p (GaAs) 的淺同質接合型太陽(Ge) 能電池 (n -p-p -homojunction Solar Shallow Cell) ，在不同的n 薄膜層厚度之下，可 以量測 到不同的光電轉換效率，此一元件結構如圖所 示。 n -p (GaAs)(GaAs) -p -p (GaAs) 的淺同質接合型太陽能電池的基本結構(Ge) 吸收係數 目前主流的矽作為太陽能電池材料，但因矽為間接能隙的半 導體材料，光的吸收係 數α小，所以光的吸收效率不佳， 如圖，也因此矽太陽能電池的轉換效率也不 高。因此矽並 非最理想的太陽能電池材料。而Ⅲ-Ⅴ族半導體太陽能材料具 備了薄膜化 及轉換效率高的優點，成為近年來太陽能電池 研究及發展的重點。 太陽能電池的轉換效率與半導體的能 隙有關，而Ⅲ-Ⅴ的砷化鎵(GaAs)能隙為 1.4eV ，矽(Si)能隙為 1.1eV ，因此Ⅲ-Ⅴ的砷化鎵(GaAs)半導體對光則具備了較佳吸 收。 同時還可利用不同能隙的Ⅲ-Ⅴ半導體構成多接面的太 陽能電池，範圍包 含了太陽能光譜的可見光、紅外光及紫 外光等區域，藉以提升Ⅲ-Ⅴ太陽能電池的轉換效率。 吸收係數參考 .tw/bitstream/11536/48680/1/751401.pdf