国产中高压抗辐照功率MOSFET 单粒子效应 - 太赫兹科学与电子信息 .PDF

第 14 卷 第 1 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．14，No．1 2016 年 2 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Feb．，2016 文章编号：2095-4980(2016)01-0143-05 国产中高压抗辐照功率 MOSFET 单粒子效应 高 博，王立新，刘 刚，罗家俊，韩郑生，王路璐，邓海涛 ( 中国科学院 微电子研究所，北京 100029) 摘 要 ：功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 空间使用时易遭受重离子轰击产生单 粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压 250 V,500 V)抗辐照功率 MOSFET 的单粒子辐射效应进行了研究，并采取了有针对性的加固措施，使器件的抗单粒子能力显 著提升。结果表明：对 250 V KW2 型功率 MOSFET 器件进行 Bi 粒子辐照，在栅压等于 0 V 时，安 全工作的漏极电压达到 250 V ；对 500 V KW5 型功率 MOSFET 器件进行 Xe 粒子辐照，在栅压等于 0 V 时，安全工作的漏极电压达到 400 V ，并且当栅压为-15 V 时，安全工作的漏极电压也达到 400 V ， 说明国产中、高压功率 MOSFET 器件有较好的抗单粒子能力。 关键字 ：功率金属-氧化物半导体场效应晶体管；单粒子效应；抗辐射加固 中图分类号 ：TN386 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201601.0143 Single event effects for domestic radiation-hardened power MOSFET devices GAO Bo，WANG Lixin，LIU Gang，LUO Jiajun，HAN Zhengsheng，WANG Lulu， DENG Haitao (Institute of Microelectronics，Chinese Academy of Sciences，Beijing 100029，China) Abstract： The single event effects of power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) are easy to be induced by impacts of heavy ion when they are used in space environment, such as single event burnout and Single Event Gate Rupture(SEGR). The single event effects of domestic new type anti-irradiation power MOSFETs with medium or high voltage(rated voltages are 250 V and 500 V) are studied in this paper. Targeted reinforcement measures are taken and the ability of devices to resist single event effect is significantly improved. Experiment results indicate that the 250 V power MOSFET is irradiated by Bi