硫辛酸对暴露于紫外线的人晶体上皮细胞作用的实验分析.pdfVIP

中文摘要 目 的 acid， 现有的研究结果表明具有抗氧化作用的硫辛酸(1ipoic LA)存在于人体的多种组织中。本研究用紫外线照射人晶状体 上皮细胞，并在紫外线照射前，照射时及照射后不同时段向介质中 加入不同浓度硫辛酸，通过细胞生存率值的比较来探讨硫辛酸在 人晶体上皮细胞中抗紫外线损伤的作用。 方 法 于含有20％胎牛血清的DMEM，5％CO：，37摄氏度的培养 条件下，对植入96孔培养板的人晶体上皮细胞(SRAOI／04)进行 培养。当培养细胞达到80％以上融合状态时对HLEC进行不同 强度的紫外线照射。紫外线光源参数为：波长范围为270— 小时的孵育，照射前将培养液换为PBS，PBS中加入不同浓度( 射前相同条件下继续培养48小时，最后对所有细胞进行固定(2． 5％戊二醛)，染色(O．4％龙胆紫液)，标本自然风干后进行吸光度 值的测定，计算细胞生存率，最后进行统计分析。 ／ ／结 果 、∑ 于照射前，照射后加入硫辛酸孵育的实验组其细胞生存率明 显高于未加组，而在紫外线照射剂量为半数致死量时其增强细胞 存活率的作用最强。在照射剂量为半数致死量的73mW／cm2及 10 1．5倍半数致死量的1mW／cm2条．件下其细胞生存率依次为：暴 露后硫辛酸加入组暴露前硫辛酸加入组暴露中硫辛酸加入组 mM与0．5 至对照组，且l mM硫辛酸加入组显示出同样的趋势， 、／ 本次实验没有发现浓度依赖性正相关关系。＼7 4 结 论 1．照射前，照射中，照射后硫辛酸的添加都能够提高紫外线照 射后晶体上皮细胞的生存率。 2．照射量73及llOmJ／cm2组中，照射后LA添加组照射前 LA添加组照射后LA添加组堇对照组，其中照射前及照射后添 加组与对照组间的差异有统计学意义。 3．1．0 mM硫辛酸添加组与0．5mM硫辛酸添加组的结果呈 相同趋势，本实验中未见明显的浓度依赖性。 硫辛酸可以提高紫外线照射后的人晶体上皮细胞的存活率。 提示硫辛酸可以减轻紫外线对人晶状体上皮细胞的光损害。 关键词抗氧化损伤；人晶状体；上皮细胞；培养；紫外线；白 内障；硫辛酸 、 ·2· OF ACIDAGAINST THEEFFECTa—LⅡ’OIC EPITHELIAL HUMANLENS DAMAGESTO CELLSDI珏℃ⅡqGUVⅡUtADIATION known a varie— acidhasbeen asanoxidant in wide Lipoic present aimthis WaSto ofhumancell of determineWhether ty types．The s