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掺杂水平对！#基变阻器电学性能的影响！
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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掺杂水平对!# 基变阻器电学性能的影响!
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符秀丽 唐为华 彭志坚
!）（北京邮电大学理学院，北京 !%%’( ）
# ）（浙江理工大学光电材料与器件中心，杭州 $!%%!）
$ ）（中国地质大学（北京）工程技术学院，北京 !%%%$ ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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根据相图规则设计、制备了三个系列不同*+ , 与-. , 掺杂水平的/0, 基复合变阻器材料，研究了掺杂对氧
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化锌复合陶瓷电学性能的影响 研究发现，当 元素掺杂水平较低时，随着 掺杂量的增加，所得氧化锌基变
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阻器材料漏电流的变化也很小，非线性系数（非线性系数 和击穿非线性系数 ）将减小，而场强（场强 和击
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穿场强 ）将增大；但是，当 元素掺杂量较高时，随着更多 的掺入，漏电流急剧增大， 和 进一步减
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小，而 和 将突然减小 随着 元素掺杂水平的提高，所得氧化锌基变阻器材料漏电流增大， 和 增大，
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而 和 减小
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