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9 群－半導体－2 章 〈ver.1/2012.4. 16〉 ■9 群（電子材料・デバイス）- 半導体 2 章 応用編 電子情報通信学会「知識ベース」 © 電子情報通信学会 2012 1/(36) 9 群－半導体－2 章 〈ver.1/2012.4. 16〉 ■半導体 - 2 章 2-1 Si （執筆者：深津晋）[2010年6 月受領] 半導体を代表する Si （硅素）は14 族（短周期表ではⅣ族）元素の単体であり，エレクト ロニクス産業にとって欠くべからざる物質である．既存の半導体では最も高純度（15 N ： 99.9999999999999）な単結晶が精製できる．最大30 cm 径の半導体グレード （SEG ：11N）か ら主に太陽電池をターゲットとするソーラーグレード（SOG ：7 N）まで多様な単結晶基板が 比較容易に入手できることから，弱電，強電用途にとどまらず，汎用基板，赤外光学窓，マ イクロマシンなどに利用される．pn 接合ダイオードなどディスクリート部品から Si あるい は SOI （Silicon-On-Insulator）基板上に形成した大規模集積回路 （LSI）らが実用に供してい る． 一方，Si の酸化物（SiO ）は，金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の 2 ゲート絶縁層として卓越した性質を示すが，これがSi をエレクトロニクスの中心的存在に押 し上げた要因のひとつでもある．近年は，Si とSiO2 ないしはSi と空気との高い屈折率コン トラストを利用したSOI 導波路が光技術と電子技術の融合の観点から注目されている（シリ コンフォトニクス）．一方，超高真空環境で得られるSi (111)清浄表面は，再配列した原子が 特徴的な幾何学パターン（7 × 7 構造）を示すことから表面科学のベンチマークとして頻繁に 利用される． 2-1-1 Si の結晶構造と物理定数 1 1 1 7 O Fd 3m Si は常温，常圧下でダイヤモンド構造 （面心立方格子を だけ並進させた h   4 4 4 対称性の構造）をとる．高圧下ではβ-スズ(金属)相に転移することが知られている．以下に 1), 2) 主な物性値をのせる（T は絶対温度） ．   格子定数 〔mm〕 a = 0.54304+1.8138×10-5(T-273)+1.542×10-9(T-273)2 (300 KT1100 K) 線膨張係数 = 2.56×10-6 〔K-1〕 (T = 22.50 ℃) 密度  = 2.329 〔g cm-3〕 @ 298 K 融点 Tm = 1687 〔K〕 熱伝導率 = (0.1598+1.532×10-3T +1.65×10-6 T 2)-1 〔W/cm-1K-1〕 デバイ温度  = 636 〔K〕 @ 0 K D 弾性定数 （GPa） c11 = 1