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5.1.1 只读存储器（ROM） 5.1.2 静态随机存储器（SRAM） 5.1.3 动态随机存储器（DRAM） 5.1 半导体存储器 半导体存储器 随机存储器 （RAM） 静态RAM（Static RAM） 动态RAM（Dynamic RAM） 只读存储器 (ROM) 掩膜ROM（Mask ROM） 可编程ROM（PROM） 可擦可编程ROM（EPROM） 半导体存储器的分类 基本结构：地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器 存储单元：可以存放1位二进制数的单元电路 字单元：存储单元的组合，具有唯一的地址 5.1.1 只读存储器（ROM） 1.掩膜ROM （1）地址译码器 Y ＆ B A B Y=AB VCC R A W0=A1A0 5.1.1 只读存储器（ROM） 地址译码器真值表 地址译码器的等效电路 A1 A0 W0 W1 W2 W3 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 1 地址译码器的函数表达式 5.1.1 只读存储器（ROM） （2） 存储矩阵和输出缓冲电路 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 交叉点处接有二极管时相当于存1，没接二极管时相当于存0。 ROM中存放的数据 5.1.1 只读存储器（ROM） 存储矩阵结构 2.PROM 0 0 1 0 1 1 1 1 熔丝 5.1.1 只读存储器（ROM） （1） UVEPROM（Ultra-violet erasable PROM ） 5.1.1 只读存储器（ROM） （2） E2PROM （3） Flash Memory 3.EPROM 存储单元的结构 （1） UVEPROM（Ultra-violet erasable PROM ） SIMOS管 浮置栅无电荷，管子导通，相当于存1 浮置栅有电荷，管子截止，相当于存0 5.1.1 只读存储器（ROM） 5.1.1 只读存储器（ROM） （2） E2PROM 隧道MOS管 5.1.1 只读存储器（ROM） （3） Flash Memory 叠栅MOS管 5.1.1 只读存储器（ROM） 5.1.1 只读存储器（ROM） 类型 存储单元 相同点 写0 擦除 UVEPROM SIMOS管 浮栅中无负电荷，存储 在控制栅加高电压 紫外线照射 E2PROM 隧道MOS管 单元相当于存1，有负电 在控制栅加高电压 控制栅接地，漏极加一正电压 Flash Memory 叠栅MOS管 荷相当于存0 在控制栅加高电压 控制栅接地，源极加一正电压 （1）地址译码器 （2）存储矩阵 （3）读写控制电路 5.1.2静态随机存储器 1.SRAM的结构和工作原理 （1）地址译码器 缺点：当存储器的存储容量很大时，地址译码器输出的字线将会非常多，译码器的电路结构也变得十分复杂， 5.1.2静态随机存储器 x0 x1 行 译 码 器 1 列 译 码 器 0 31 992 33 63 32 A0 A4 A3 A2 A1 A5 A9 A8 A7 A6 D y0 y1 y31 x31 1023 993 D 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1111100000B =3E0H=992 5.1.2静态随机存储器 （2）读写控制电路 存储矩阵 1 0 0 1 0 当CE=0，OE=0时，进行读操作； 当CE=0，WE=0时，进行写操作； 0 1 0 0 1 5.1.2静态随机存储器 2. SRAM静态存储单元 VT1、VT2、VT3及VT4构成SR锁存器 T5及T6是行选管 5.1.2静态随机存储器 3.SRAM的读写时序 读时序 写时序 5.1.2静态随机存储器 4管动态存储单元 单管动态存储单元 1.动态存储单元 5.1.3 动态随机存储器 2.DRAM的基本结构 5.1.3动态随机存储器 5.1.4 存储器容量的扩展 1.位扩展 2.字扩展 5.1.4 存储器容量的扩展 小 结 在只读存储器（ROM）中，介绍了掩膜ROM、PROM、EPROM等不同类型ROM的工作原理和特点。 在随机存储器（RAM）中，介绍了静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）的工作原理和特点。 本章的重点和