成电路的基本制造工艺.pptVIP

* 典型的双极集成电路中晶体三极管的主要制造过程 P N+隐埋层 N+隐埋层 N P+ 隔离岛 P P N+ N+ e b c e c b 复习 PN结隔离工艺简单，与元件制作工艺基本相容，是目前应用最多的隔离方法。 双极集成电路工艺 电隔离 自然隔离 PN结隔离 全介质隔离 PN结—介质混合隔离 双极集成电路工艺分类 在集成电路中，P型衬底接最负电位，以使隔离结处于反偏。典型的PN结隔离的掺金TTL电路总的工序40道左右。需要六次光刻。 1．2 MOS集成电路的基本制造工艺 MOS集成电路分为PMOS集成电路、NMOS集成电路、CMOS集成电路。在PMOS、NMOS集成电路中又因其负载电阻的不同分为: E/R(电阻负载)、E/E(增强型MOS管负载)、E/D(耗尽型MOS管负载) MOS集成电路。根据栅极制造工艺的不同分为:铝栅工艺和硅栅工艺(栅电极为掺杂多晶体) MOS集成电路。 1．2 MOS集成电路的基本制造工艺 根据栅极制造工艺的不同分为：铝栅工艺和硅栅工艺(栅电极为掺杂多晶体) 。 PMOS集成电路 MOS NMOS集成电路 CMOS集成电路 E/R(电阻负载) E/E(增强型MOS管负载) E/D(耗尽型MOS管负载) 铝栅硅栅 NMOS管结构示意图 NMOS剖面示意图 根据阱的导电类型CMOS可分为P阱CMOS、N阱CMOS和双阱CMOS电路。 (P阱上做NMOS)P阱CMOS与NMOS器件有良好的兼容性。(N阱上做PMOS)N阱CMOS与PMOS器件有良好的兼容性。双阱工艺是在衬底上制做出P阱和N阱。P阱上做NMOS管， N阱上做PMOS管。这样可以独立调节两种沟道MOS管的参数，使CMOS电路达到最优的特性。 制做典型的P阱硅栅CMOS需要五十多道工序，需要十次光刻。 1.2.2 CMOS集成电路工艺 制做典型的P阱硅栅CMOS需要五十多道工序，需要十次光刻。 1.2.2 CMOS集成电路工艺 CMOS可分为： P阱CMOS N阱CMOS 双阱CMOS 与PMOS器件有良好的兼容性。 与NMOS器件有良好的兼容性。 可以独立调节两种沟道MOS管的参数，使电路达到最优的特性。 CMOS集成电路工艺 N P N+ P+ P+ P阱区光刻、阱区注入形成阱区 P阱硅栅CMOS工艺 N+ D S S D G G CMOS集成电路工艺 P N P+ N+ N+ P阱区光刻、阱区注入形成阱区 N阱硅栅CMOS工艺 P+ D S S D G G 由于驱动管NPN制作在低掺杂的衬底上，所以降低了驱动管的结电容和衬底偏置效应。 1．3 Bi-CMOS工艺 Bi-CMOS工艺是把双极器件和CMOS器件制做在同一芯片上。它综合了两种器件的优点，给高速度、高集成度、高性能的LSI及VLSI 的发展开辟了一条新的道路。优势互补、取长补短。 Bi-CMOS工艺可分为两大类：一类是以CMOS工艺为基础的；另一类是以标准双极工艺为基础的。以标准双极工艺为基础的Bi-CMOS工艺对保证器件中的双极器件有利。影响Bi-CMOS工艺器件性能的主要是双极部分，因此以标准双极工艺为基础的Bi-CMOS工艺用得较多。 1．3 Bi-CMOS工艺 把双极器件和CMOS器件制做在同一芯片上。优势互补、取长补短。 Bi-CMOS工艺： 以CMOS工艺为基础 以双极工艺为基础 对保证器件中的ＣＭＯＳ器件有利。 对保证器件中的双极器件有利。 P阱 影响Bi-CMOS工艺器件性能的主要是双极部分，因此以双极工艺为基础的用得较多。 N阱 P阱 双阱 以P阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面示意图 N-—SUB P阱 P阱 N+ P+ N+ N+ N+ P+ C E S C C G G B D 以N 阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面示意图 P-—SUB N阱 N阱 N+ N+ S P+ D G C G P+ N+ P+ S N+ D B E * * *