碳化硅量子点表面物化特性调控及其光学特性 - 硅酸盐学报.pdfVIP

第43 卷第4 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 43 ，No. 4 2 0 1 5 年 4 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY April ，2015 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2015.04.10 碳化硅量子点表面物化特性调控及其光学特性 1 1,2,3 1 2 1,3 1 3 康 杰 ，宋月鹏 ，朱彦敏 ，高东升 ，郭 晶 ，许令峰 ，KIM Hyoungseop (1. 山东农业大学机械与电子工程学院，山东省园艺机械与装备重点实验室，山东 泰安 271018 ； 2. 山东农业大学园艺科学与工程学院，山东 泰安 271018 ；3. 浦项工科大学材料科学与工程学院，韩国 浦项 790784) 摘 要：采用化学偶联法，通过调整腐蚀剂组分及其相对含量，一步法实现了碳化硅量子点(SiC-QDs)表面物化特性的有效调 控。研究表明：经硝酸(HNO3)和氢氟酸(HF)混合腐蚀剂腐蚀纳米β-SiC 粉末，通过超声空化破碎分散及高速离心处理，可获 得SiC-QDs 水相溶液，并一步法实现了表面修饰，在其表面形成了 COO、 OH 等亲有机物功能基团。采用浓硫酸(H SO ) — — 2 4 为偶联剂，制备出表面具有巯基(—SH)的SiC-QDs 水相溶液。腐蚀剂组分的相对含量对于SiC-QDs 的光致发光强度与表面巯 基的形成影响较大。在波长为340 nm 的激发光激发下，SiC-QDs 具有最大的发光强度，随着腐蚀剂中H SO 含量的增加， 2 4 其光致发光强度呈现降低趋势。当腐蚀剂的体积比为V(HF): V(HNO ): V(H SO )=6:1:1 时，制备的水相SiC-QDs 表面既能稳定 3 2 4 耦合 SH，又可以获得较高的光致发光强度。另外，对表面物化特性调控及其形成机制进行了分析研究。 — 关键词：碳化硅量子点；表面物化特性；光学特性；腐蚀法 中图分类号：O482 ；O614 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2015)04–0431–06 网络出版时间：2015–04–01 16:15:06 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1615.007.html Regulation of Physicochemical Characteristics on Surface of SiC Quantum Dots and Its Optical Properties 1 1,3 1 2