be 基- 族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用3.pdfVIP

　第 19 卷第 7 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 7　 V o l N o 　1998 年 7 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July Be 基 - 族四元合金对蓝绿激光器 发光层载流子的限制作用 王善忠　何　力　沈学础 ( 中国科学院上海技术物理研究所　半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室　上海　200083) ( ) 摘要　ZnSe 基激光器的退化缺陷 特别是层错缺陷 严重地影响了长寿命器件的获得. 人们开 始将注意力投向离子性较低的Be 基化合物, 希望Be 的加入能有效地改善器件的性能. 由于对 Be 基化合物的了解十分有限, 本文从基本的原子参数出发, 用原子轨道线性组合(L CAO ) 方 法计算了 化合物及其他 族化合物价带的 . 结合带隙的实验值, 给出了 族 Be offset 化合物导带的 . 粗略分析了 基二元化合物用于 载流子限制的可能性. 根据虚晶 offset Be ZnSe 近似, 用插值方法计算了 基四元合金相对于 价带、导带的 . 讨论了 基四元合 Be ZnSe offset Be 金用作活性层和载流子限制层的可能性. : 6855; 　 : 2520 , 2530 , 4320 PACC EEACC D C J 1　引言 大量实验证明, 在 ZnSe 基蓝绿色半导体激光二极管中, 由于材料的强离子性而在材料 中形成的大量的堆垛层错是导致器件快速退化的重要原因之一. 考察[ 1 ] ZnSe 以外的其它 族化合物, 发现Be s 具有本征闪锌矿结构, 且离子性不但远比 ZnSe 低, 而且低于 [ 1 ] . 最近, 已经有人开始探索 基合金抑制退化缺陷的可能性. 等 在实验上已经 GaA s Be Zhou [ 2 ] 获得了完全无堆垛层错的 界面. 等 则用 基合金充当电光约束层及发光 BeT e Si W aag Be 活性层制备的器件已经获得激光输出. 从带隙、晶格常数看, BeT e 的带隙为2 7eV , 晶格基 本与 匹配, 适合充当蓝色活性层;