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芯片制造设备优化作业在节能领域中 精益生产应用研究 宋英华 (中j芷：国际集成电路制造(天津)有限公司天津300385) 摘要：半导体芯片制造业会使用多种危险化学品．设 算在不影响作业人员健康的前提下可能获得的多余芯片产出及 备反应腔内部在生产中会附着各类化学品和反应副产物。 等效经济与环保效益。 设备反应腔维护保养时．会首先进行反应腔抽真空和充氮 蚀刻区域的设备根据其工艺可分为金属蚀刻机台、氧化层蚀 气吹扫来降低有害气体浓度．根据行业经验．芯片制造设备 刻机台和多晶硅蚀刻机台。分别针对以上三个区域不同机台。金 规定了不同的参考吹扫次数，本文针对半导体蚀刻区域的 四类设备通过现场检测的方法适当减少反应腔吹扫次数。 气体为Hcl(氯化氢)；氧化层蚀刻和多晶硅蚀刻机台都为L舳(科 在工厂产能一定的情况下．减少反应腔吹扫次数可节约维 林)，标志性气体分别为HF(氟化氢)和HBr(溴化氢)。根据操作 护保养所需时间，等效增加产量，从而提高经济效益。同时， 经验，反应腔开启前，Lam设备的吹扫次数为120次…，AMAT设 减少设备吹扫次数．可以节约大量高纯氮气和电能，产生相 备的吹扫次数为60次{“。 应的环保效益： 工作人员使用手提式气体侦测器，对上述的设备和气体在不 关键词：芯片制造；吹扫；优化：节能 同的吹扫次数下进行检测，得到各标志气体在不同吹扫次数下的 浓度，其具体浓度值如表l。 半导体芯片制造行业工艺和技术复杂，使用到大量有毒、易 表1蚀刻机台在不同吹扫次数下的危险气体浓度 燃易爆、腐蚀性的化学品原物料。由于芯片制造的生产过程对环 境和设备洁净度有非常严格的要求，所以对于生产设备的各项定 期保养都制定严格的程序。根据标准工作程序，在设备反应腔体 开启之前，会利用真空泵对反应腔体进行数十次到数百次的循环 抽真空和氮气吹扫，以降低开启反应腔体瞬间腔体内有害物质的 溢散浓度。本文主要通过对不同吹扫次数下的有害气体浓度监 测，评估合理的吹扫次数，并对其优化可行性及其效益分析。 l芯片制造设备预防保养的吹扫流程 所监测的三种危害性气体在工作场所的容许浓度分别为 半导体芯片制造工艺复杂，其主要的工序包括清洗、扩散、光 刻、化学气相沉积、物理气相沉积、离子注入、蚀刻、化学机械研磨 害性气体浓度低于容许浓度的最低吹扫次数分别为Hcl：30次 等。半导体芯片制造的每个各个工序都会使用到多种危险性化学 (Lam)和5次(AMAT)；HBr：40次；HF：40次。 品。在整个工艺过程中，设备反应腔和管道内部会附着各类危险 根据现场检测结果，使有害气体浓度低于容许浓度的吹扫次 化学品和反应副产物，需定期对这些附着物进行清理，对设备反 数远小于设备经验吹扫次数，即在此吹扫次数下，反应腔打开时 应腔进行维护保养，防止影响工艺流程。如果直接打开反应腔，则 其浓度已处于对人体无害范围。另外，反应腔内气体浓度低于气 内部的化学品会散逸到环境中，对周围人员造成伤害。为防止这 体侦测器下限的吹扫次数同样远小于标准吹扫次数。因此，根据 种情况，各类设备反应腔打开前都会反复进行氮气吹扫，即首先 检测结果，适当减少反应腔开启前的吹扫次数是完全可行的，不 用真空泵将反应腔内抽真空，然后充入氮气到常压，然后再抽真 会对人体造成伤害。 空，再充入氮气，反复循环。经过这一过程，反应腔内可挥发的各 在自行试验结果采集的基础上，请国家有资质的认证监测机 类危险性物质基本可吹扫干净。 构进行复核检测，检测结果如表2显示。因为检测方法与机理的不 对于不同工艺流程的设备，反应腔开启前需进行的吹扫次数 同(自测采用电化学法，外测采用分光法)数值略有偏差，但总体结 是不同的，具体次数由数十次到上百次不等。设备的吹扫次数是 果无明显影响。为节约时间，根据表2结果直接从中间