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纳米环型、磁性隧道结
维普资讯
J．Mater．Sci．Techno1．，Vo1．23 No．3，2007
· Letter
A NovelDesignandFabricationofM agneticRandom AccessM emory
Based on Nano．．ring．．typeM agneticTunnelJunctions
X．F．Hant，H X．Wei，Z．L．Peng，H．D．Yang，J．F．Feng,G．X．Du，Z．B．Sun，L．X．Jiang,Q．H．Qin，
．
M ．Ma， Wang，Z．C．Wen，D．P．Liuand仉，．S．Zhan
StateKeyLaboratoryofMagnetism，BeijingNationalLaboratoryforCondensedMatterPhysics，InstituteofPhysics
ChineseAcademyofScience，Beijing100080，China
M【anuscriptreceivedMarch9，2007]
Nano-ring-typemagnetictunneljunctions(NR-MTJs)withthelayerstructureofTa(5)／Ir22Mn78(10)／
Co75Fe25(2)／Ru(0．75)／Co60Fe20B2o(3)／AI(0．6)一oxide／C060Fe20B20(2．5)／Ta(3)／Ru(5)(thicknessunit：nm)
werenano-fabricatedontheSi(100)／SiO2substrateusingmagnetronsputteringdepositioncombinedwith
theopticallithography．electronbeam lithography(EBL)andArion-beametchingtechniques．Thesmaller
NR—MTJswiththeinner—andouter-diameterofaround50and100nm andaIsotheircorrespondingNR—MTJ
arrayswerenano-patterned．Thetunnellingmagnet0resistance(TMR＆R)versusdrivingcurrent(I)Ioops
foraspin—polarizedcurrentswitchingweremeasured．andtheTMRratioofaround35％atroom temperature
wereobserved．ThecriticaIvaluesofswitchingcurrentforthefreeCo6oFe20B2olayerrelativetothereference
Co60Fe20B20Iayerbetweenparallelandanti—parallelmagnetizationstateswerebetween0．50and0．75mA in
suchNR—MTJs．ItissuggestedthattheapplicableMRAM fabricationwiththedensityandcapacityhigher
than256Mbit／inch0even6Gbite／incharepossibleusingboth1NR-MTJ+1transistorstructureandcurrent
switchingmechanism basedonbasedonourfabricated4x4MRAM demodevices．
KEY W ORDS：Nano-ring-typemagnetictunneljunctions；NR-MTJ；MRAM ；spinpolarization；
Spin transfereffect
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