自控理论第四章根轨迹法.ppt

(2) 当0K=0.25时, 一个根的绝对值随K的增大而增大, 另一个根的绝对值随K的增大而减小, 两根的变化轨迹如下图所示: 从上例中至少可得到根轨迹图的以下几个特点: (1) 因例中代数方程为二阶, 所以根轨迹图中有两条根轨迹分支; 渐近线见下图: 对上式整理得: 用手工解十次代数方程相当麻烦. 但在实轴上的分离点有以下两 个特点: (1) 实轴上两个相邻的极点或两个相邻的零点之间的区段如 是根轨迹, 则其上必有一个分离点. 这两个相邻的极点或两个相 邻的零点中有一个可以是无限极点或零点. (2) 实轴上某区段是根轨迹的话, 如这区段的两个端点一个是 极点, 而另一个是零点, 则此区段上要么没有分离点, 如有, 则不 止一个. 利用以上两个特点可初步判断实轴上那些区段上有分离点, 然后用试探法求近似的分离点值, 求出一个后, 对整理后的方程 可降一阶. 上式中: (弧度) 同理可得: (弧度) 从而: 由于根轨迹的对称性, 则: (2) 实轴上的根轨迹: 见下图 (3) 渐近线: 出射角相当于92.7266度, 由于对称性, (4)出射角: (5) 分离点: 现用劳斯判据求根轨迹与虚轴交点