铜箔上热蒸发沉积ZnO纳米线及其特性.pdfVIP

第 24卷 第 6期 福建师范大学学报 (自然科学版) VoI．24 No．6 2008年 11月 JournalofFujianNormalUniversity (NaturalScienceEdition) Nov．2008 文章编号：1000—5277(2008)06—0051—05 铜箔上热蒸发沉积ZnO纳米线及其特性 庄彬平，林明豹，沈燕芬，吕佩伟，林丽梅，赖发春 (福建师范大学物理与光电信息科技学院，福建 福州 350007) 摘要：在水平放置的管式炉内，采用热蒸发zn粉的方法，在铜箔上制备了大量的ZnO纳米线．利用x 射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、扫描 电子显微镜以及荧光光谱仪分别对 ZnO纳米线的微结构、形貌及光学性 能进行研究．结果表明，合成的ZnO纳米线为六角结构，且具有 良好的结晶性能，纳米线的长度在 10~50 Fm之间，直径在8o～150nm之间，生长机制为气相一固相生长机制．荧光光谱表明ZnO纳米线光致发光 的主峰为位于387rim的带隙态发光． 关键词：ZnO纳米线；热蒸发；特性 中图分类号：0472．3；0482．31 文献标识码：A SynthesisandPropertiesofZnO NanowiresGrownon CopperFoilbyThermalEvaporation ZHUANG Bin-ping，LIN M ing—bao，SHEN Yan—fen， LaPei—wei，LIN Li—mei，LAIFa-chun (SchoolofPhysicsandOptoElectronicsTechnology，FujianⅣ0，realUniversity，Fuzhou350007，China) Abstract：A largeamountofZnO nanowrieshavebeensuccessfullysynthesizedoncop— perfoilsbythermallyevaporatingZnpowders．Themicrostructure，morphologyandfluores— cencepropertiesofZnO nanowireshavebeen studiedbyX—raydiffractometer，laserraman spectroscopy，scanning electron microscopy and fluorescence spectroscopy，respectively． Theexperimentalresultsshow thattheZnO nanowires，thelengthofwhichiSbetween 1O～ 50um anddiameterrangesfrom 80to 150nm ，havethehexagonalstructure．Thegrowth mechanism ofthesamplesisvapor—solidmechansim．Thepreferablefluorescenceproperties demonstratesthegoodcrystallinestructureofZn0 nanowires． Keywords：ZnO nanowires；thermalevaporation；properties 一 维纳米材料在光电子学、生物、医学等诸多领域具有很好的应用前景，近年来它们越来越受到 人们的广泛关注．ZnO作为重要的 Ⅱ一Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体材料，其室温下禁带宽度达3．37eV， 束缚激子结合能高达60meV，同时具有很好的化学稳定性和热稳定性，使得ZnO在太阳能电池、传感 器和光催化等方面得到广泛应用．而一维ZnO半导体材料由于其独特的物理特性使得它在多种光电子 器件中有着巨大的潜在应用，特别是其高效率的场致发射特性使其在平面显示技术上的应用受到高度 重视． ZnO纳米线的制备方法有很多种，常见的制备方法有激光烧蚀法L】]、有机金属化学气相沉积 法口-3]、模板辅助生长法 ]、热蒸发法