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第四章 恒定电流场 ;1. 电流及电流强度;1. 电流及电流强度; 运流电流是电子、离子或其它带电粒子在真空或气体中运动形成的电流。; 电流强度：单位时间内穿过某一截面的电量，又简称为电流，以 I 表示。电流的单位为A（安培）。 ;那么，穿过任一截面 S 的电流 I 为; 电导率为无限大的导体称为理想导电体。显然，在理想导电体中，无需电场推动即可形成电流。;欧姆定律是否成立？积分形式 ， 微分形式;取决于导电媒质的电导率是否恒定。; 运流电流的电流密度并不与电场强度成正比，而且电流密度的方向与电场强度的方向也可能不同。可以证明运流电流的电流密度J 与运动速度 v 的关系为 ;2. 电动势 ;外电场的存在：既然外源中的非静电力表现为对于电荷的作用力，因此，通常认为这种非静电力是由外源中存在的外电场产生的，;E; 由上可见，极板上的电荷通过导电媒质不断流失，外源又不断地向极板补充新电荷，从而维持了连续不断的电流。; 达到动态平衡时的电动势，由于在外源内部 ，可以计算为;恒定电场中的电流密度的特征。考虑到导电媒质中， ，那么， 可写成 ;3. 电流连续性原理 ;根据高斯定理，由 求得 ;4. 恒定电流场的边界条件; 由 的旋度为零， 即 可导出边界两侧电流密度的切向分量关系为; 为了求出边界上某点的场量关系，必须令 ?l 足够短，以致于在?l内可以认为场量是均匀的，则上述环量为 ;由此可见，在两种导电媒质的边界上，电流密度矢量的法向分量连续，切向分量是不连续的。; 已知理想导电体内部不可能存在电场，那么，理想导电体表面不可能存在切向电场，因而也不可能存在切向恒定电流。当电流由理想导电体流进一般导电媒质时，电流线总是垂直于理想导电体表面。;5. 恒定电流场的能量损耗 ; 圆柱体的端面分别为两个等位面。若在电场力作用下，d t 时间内有 d q电荷自圆柱的左端面移至右端面，那么电场力作的功为 ; 设圆柱体两端的电位差为U，则 ，又知 ，那么单位体积中的功率损失可表示为;例1 已知一平板??容器由两层非理想介质串联构成，如图示。其介电常数分别为 ?1 和 ?2 ，电导率分别为 ?1 和 ?2 ，厚度分别为 d1 和 d2 。当外加恒定电压为 V 时，试求两层介质中的1）电场强度，2）单位体积中的电场储能和3）功率损耗。 ;两种介质中电场储能密度分别为 ;例2 设一段环形导电媒质，其形状及尺寸如图示。计算两个端面之间的电阻。 ; 利用给定的边界条件，求得 ;6. 恒定电流场与静电场的比拟 ; 因此，当恒定电流场与静电场的边界条件相同时，电流密度的分布与电场强度的分布特性完全相同。根据这种类似性，可以利用已经获得的静电场的结果直接求解恒定电流场。或者由于在某些情况下，恒定电流场容易实现且便于测量时，可用边界条件与静电场相同的电流场来研究静电场的特性，这种方法称为静电比拟。 ; 已知一平板电容器由两层非理想介质串联构成，如图示。其介电常数分别为 ?1 和 ?2 ，电导率分别为 ?1 和 ?2 ，厚度分别为 d1 和 d2 。; 利用两种场方程，可以求出两个电极之间的电阻及电导与电容的关系为; 第四章习题解答;4-2，设同轴线内导体半径为 ，外导体的内半径为 ，填充介质的电导率为 。根据恒定电流场方程，计算单位长度内同轴线的漏电导。;4-2，设同轴线内导体半径为 ，外导体的内半径为 ，填充介质的电导率为 。根据恒定电流场方程，计算单位长度内同轴线的漏电导。;4-2，设同轴线内导体半径为 ，外导体的内半径为 ，填充介质的电导率为 。根据恒定电流场方程，计算单位长度内同轴线的漏电导。;4-2，设同轴线内导体半径为 ，外导体的内半径为 ，填充介质的电导率为 。根据恒定电流场方程，计算单位长度内同轴线的漏电导。;4-3，设双导线的半径为 ，轴线间距为 ，导线之间的介质电导率为 ，根据电流场方程，计算单位长度内双导线之间的漏电导。;4-3，设双导线的半径为 ，轴线间距为 ，导线之间的介质电导率为 ，根据电流场方程，计算单位长度内双导线之间的漏电导。;4-3，设双导线的半径为 ，轴线间距为 ，导线之间的介质电导率为 ，根据电流场方程，计算单位长度内双导线之间的漏电导。;4-3，设双导线的半径为 ，轴线间距为 ，导线之间的介质电导率为