第1章.3晶体管.ppt

第 一 章;1.4 半导体三极管;1. 基本结构和符号;平面型(NPN)三极管制作工艺:;在 N 型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与 N 型锗接触，冷却后形成两个 P 型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。;2. 三极管的分类;三极管结构示意图和符号;三极管结构示意图和符号;1.4.2 三极管放大区的工作原理; 双极型三极管的符号中，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的。;三极管具有电流放大作用的条件;　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。;三极管内部结构要求：;晶体管具有电流放大作用的外部条件：;瘸洲雕嘻酮劲子聘辑淋上妖冯猖锗辟链收践糜轧泪失博夸聊伪斋君吕翔宝第1章.3晶体管第1章.3晶体管;1. 电流的传输过程;VCC;内部载流子的传输过程;;2）非平衡少子（电子）在基区中的扩散与复合 ：; 多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。;集电极电流 IC ： 多子漂移电流;集电区和基区的少子在外电场的作用下进行的漂移运动而形成。;电流的传输过程:;电流的传输过程:; 三极管的放大作用是通过载流子传输体现出来的。;集电极电流;外电路电流平衡方程;发射效率γ ;2. 直流电流传输方程; 三极管（放大电路）的三种组态;1）共基极电路直流电流传输方程;共基组态直流电流传输系数;2）共发射极电路直流电流传输方程;共发电路直流电流传输系数：;三极管的基极电流对集电极电流 具有控制作用;3）共集电极电路直流电流传输方程;欣雄邯悄晦尧邹壕狭粟门队臂渝梅厘谓诉凤耀钵躁拉般肩洽斥度芳寝格应第1章.3晶体管第1章.3晶体管;三极管的电流分配关系;一组三极管电流关系典型数据;③ 在表的第一列数据中，IE = 0 时， IC = 0.001 m A = ICBO， ICBO 称为反向饱和电流。; 在表的第二列数据中， I B = 0时， IC = 0.01 m A = ICEO， 称为穿透电流。; ④共射电流放大系数; ? 与 ? 两个参数之间满足以下关系：; 三极管的放大作用，主要是依靠发射极电流通过基区传输，到达集电极而实现的。;（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;1.4.3 三极管的伏安特性曲线;特性曲线左移 ;基区宽度调制效应：输出端电压的增加使曲线左移;当 不变 非平衡少子浓度曲线在发射结边界处的位置未变;（2）输出特性曲线;昭元扇剔肇盯关六惫锦天网纠涤赐椽蝴胰润像监戍击瘩吧恍潜伯宵图徊潘第1章.3晶体管第1章.3晶体管;特性曲线上翘？;基区宽度调制效应：特性曲线上翘;特性曲线测试电路;（1） 输入特性;当 b、e 之间加正向电压时， 应为两个二极管并联后的正向伏安特性。; 2) v CE 0 时的输入特性曲线; 基区宽度效应: 特性右移;（2）输出特性曲线;i B ≤ 0 的区域。; 放大区：; 饱和区：;硅管: VCES ≤ 0.4 V; 导致曲线随 v CE 增加而上倾。输出特性曲线向左延伸交于一点，相应的电压 VA称为厄尔利电压。;三极管工作状态的判断;原则：;（1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区　VCE ＜ VBE ;三极管的连接方式;1. 电流传输系数;? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为：;2. 反向饱和电流;　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流,集电极穿透电流。;3. 极限参数;2）集电极最大允许耗散功率 PCM;3） 极间反向击穿电压;发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。;PNP 型三极管;匝此醉直凤猖宴前测顷沏鱼暇敌棵允犬古伙窒冶摩沈惧诚衡愉俺绕枢屯享第1章.3晶体管第1章.3晶体管; 计算中VBE 、VCE 为负值；输入与输出特性曲线横轴为(- VBE) 、(- VCE)。; 某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA, 试判断管脚、管型。;C —发射极 B —基极 A —集电极。 管型— NPN管。; 测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为：;先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；;PNP管自己分析。;温度对三极管参数的影响;温度上升，β值将增大， i C也将增大，v CE将下降。;1.4.5 三极管的EM方程和电路模型; 发射结用二极管模拟，其对集电极电流的影响用受控源表示