第七章二极管和三极管.pptVIP

第七章 二极管和三极管;§7.1 半导体的导电特性;1 本征半导体;Si;Si;Si;Si;Si;Si; （1）半导体中存在自由电子和空穴两种载流子。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时又不断复合。在一定条件下（温度下）载流子的产生和复合达到动态平衡，于是载流子便维持一定数目。温度越高或受光照越强，载流子数目越多，半导体的导电性能也就越好，所以温度或光照对半导体的导电性能影响很大。;2 N型半导体和P型半导体（杂质半导体）;Si; 空穴半导体（ P型半导体）是在硅或锗的晶体中掺入硼（或其它三价元素）。硼原子的最外层有三个价电子，是三价元素。由于掺入硅或锗晶体中的硼原子数比硅或锗的原子数少得多，因此整个晶体结构不变，只是某些位置上的硅或锗原子被硼原子所取代。硼原子在参加共价键结构时，将因缺少一个价电子而形成一个空穴。于是这种半导体中空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式。在这种半导体中，空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子。;(1)不论N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但整个晶体结构都是不带电。 (2)多数载流子常称为多子，少数载流子称为少子;§7.2 PN结及其单向导电性;1 PN结的形成;P型半导体; PN结中的正负离子虽然带电，但是它们不能移动，不参与导电，而在这个区域内，载流子数极少，所以空间电荷区的电阻率很高。 ; 正负空间电荷在交接面两侧形成一个电场，称为内电场。内电场的方向由带正电的N区指向带负电的P区。内电场对多数载流子（P区的空穴和N区的自由电子）的扩散运动起阻挡作用；对少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）则起推动作用，即推动少数载流子越过空间电荷区而进入对方，这种由少数载流子所形成的运动称为漂移运动。; 扩散运动和漂移运动是相互联系，又是相互矛盾的。在开始形成空间电荷区时，多数载流子的扩散运动占优势。随着扩散运动的进行，空间电荷区逐渐加宽，内电场逐渐加强。于是多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数载流子的漂移运动逐渐增强。最后，扩散运动和漂移运动??到动态平衡，空间电荷区的宽度基本确定下来，PN结也就处于相对稳定的状态。;2 PN结的单向导电性;外电场;结论： 　 PN结具有单向导电性。 　 当PN结加正向电压时，PN结电阻很低，正向电流较大，PN结处于导通状态。 　 当PN结加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小，PN结处于截止状态。;§7.3 二极管;按结构来分，半导体二极管;2 伏安特性;3 主要参数;4 二极管的应用;R;例：图示电路，已知ui的波形，画出uo的波形。;§7.4 稳压二极管;U;3 主要参数;（4）稳定电流IZ;§7.5 三极管;1 基本结构;N;B;若|UCE ||UBE|0;IB/mA;定义：;例;3 特性曲线;输入特性曲线;输出特性曲线;IC(mA);IC(mA);IC(mA);当三极管接成共发射极时：;1.2 集—基极间反向截止电流ICBO;1.3 集-射极反向截止电流ICEO; 集电极电流IC超过一定值时会导致?值的下降。当?值下降到正常值三分之二时的集电极电流，即ICM。在使用三极管时， IC超过ICM并不一定会使管子损坏，但以降低?值为代价。;1.6 集电极最大允许耗散功率PCM;C;§7.6 光电器件;2 光电二极管;LED;3 光电晶体管;光电耦合电路