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返回 * 7－8 有一块施主浓度 的n型锗材料，在它的 (111)面上与金属接触制成肖特基势垒二极管。已知 ,求加上0.3V电压时的正向电流密度。 解答： ∵锗的迁移率 较大 ∴采用发射理论 * 时， 返回 * PowerPoint2003 第七章 * . 半导体物理学习题 第七章 7－1 7－2 7－3 7－4 7－5 7－6 7－7 7－8 * . 7－1 计算Al-Cu、Au-Cu、W-Al、Cu-Ag、Al-Au、Mo-W、 Au-Pt的接触电势差，并标出正负。 解答： * 返回 * 7－2 两种金属A和B通过金属C相接触，若温度相等，证明其 两端的电势差同A，B直接接触的电势差一样。如果A是 Au,B是Ag,C是Cu或Al，则为多少伏？ 解答： * 第一种结法时 第二种接法时 * 若A为Au，则 ，B为Ag，则 若A为Cu，则 ，若为Al,则 与C无关。 返回 * 7－3 施主浓度 的n型硅，室温下的功函数是多 少？若不考虑表面态的影响，它分别通Al、Au、Mo接 触时，形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取 4.05eV。 解答： * 金属 功函数 n型硅的 Al 4.13eV 4.1695 eV 反阻挡层 Au 5.06eV 4.1695 eV 阻挡层 Mo 4.29eV 4.1695 eV 阻挡层 返回 * 7－4 受主浓度 的p型锗，室温下的功函数是多 少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Pt接触 时，形成阻挡层还是反阻挡层？锗的电子亲和能取 4.13eV。 解答： * 金属 功函数 n型硅的 Al 4.13eV 4.694eV 阻挡层 Au 5.06eV 4.694eV 反阻挡层 Pt 5.30eV 4.694eV 反阻挡层 Mo 4.29eV 4.694eV 阻挡层 返回 * 7－5 某种功函数为2.5eV的金属表面受到光的照射。 ①这个面吸收红色光或紫色光时，能放出光电子吗？ ②用波长为185nm的紫外线照射时，从表面放出的光电 子的能量是多少eV? 解答： ① 解法一： 红限的频率 * 红光 紫光 ∵ ∴红光照射时不释放出电子 * ∵ ∴紫光照射时释放出电子 解法二： 光子能量 红光 ，不释放出电子 紫光 ，释放出电子 解法三： 红光 ， 出电子。 ，不释放 * 紫光 ， ，释放出电子。 ② 即电子吸收光子能量克服逸出功2.5eV后而逸出金属时 的初动能4.24eV 返回 * 7－6 电阻率为 的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒 高度为0.3eV。求加上5V反向电压时的空间电荷层厚度。 ， 解答： ， ， ,由图4－15知 * 肖特基势垒 当V=0时, 当V=0.2V时, 原子半径 晶格常数，硅为 ，锗为 硅原子间距 ，锗原子间距 * 与能带中电子相对应的波矢数量级是原子间距的倒数 即 ，而 ，故原子间距正比于 * 返回 * 7－7 在n型硅的(111)面上与金属接触形成肖特基势垒二极管。 若已知势垒高度 。（热电子发射理论） ，计算室温下的反向 饱和电流密度 解答： 根据热电子发射理论，由7－39式 由表7－4得（111）面即111晶向的有效理查逊常数 *