高性能CMOS带隙基准电压源及电流源的设计_徐星.pdfVIP

集成电路设计与应用 IC Design and Application 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 doi :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 11. 03. 0 12 高性能CMOS 带隙基准电压源及电流源的设计 ， ， ， 徐星 袁红辉 陈世军 刘强 ( ， 200083) 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海 : CMOS ， 摘要 介绍了一种高性能 带隙基准电压源及电流源电路 基准电压源使用两个二极管 ， ; 串联结构来减小运放失调影响结果的系数 同时采用大尺寸器件减小运放的失调 采用共源共栅 ; ， 电流镜提供偏置电流来减小沟道长度调制效应带来的影响 在此基准电压源的基础上 利用正温 ， 。 CSMC 度系数电流与负温度系数电流求和补偿的方法 设计了一种基准电流源 使用 公司 0. 5 m CMOS ， Spectre ， : 5 V ， μ 工艺模型 利用 工具对其仿真 结果显示 电源电压为 在 － 40 ～ 85 ℃ ， 20. 4 × 10 － 6 / ℃ ， 的温度范围内 基准电压源温度系数为 直流电源抑制比为 1. 9 mV / V ， 27. 3 × 10 － 6 / ℃ ， 57 dB 。 电流源温度系数为 电源抑制比为 :CMOS ; ; ; ; 关键词 带隙基准 运算放大器 电源抑制比 温度系数 中图分类号:TN432 文献标识码:A 文章编号:1003 － 353X (20 11)03 － 0229 － 05 Design of Super Performance CMOS Bandgap Voltage Reference and Current Reference Xu Xing ，Yuan Honghui ，Chen Shijun ，Liu Qiang (Key Laboratory of Inf rared Imaging Material