化合物半导体器件的辐射效应程序.ppt

* * * * * * * * * * * * * 不同结构LD的抗辐射能力的比较 类似LED,同质结LD:如GaAs pn结LD,有源区面积大, 阈值电流大,衍射严重,发光效率低,抗辐射能力最低. 单异质结LD: 如GaAs(n)- GaAs(p)- GaAlAs(p+)- GaAs(p+)单异质结LD,有源区光增益增加, 阈值电流降低, 抗辐射能力优于同质结LD. 双异质结LD: 如GaAs(n+)- GaAlAs(p)- GaAs(p+)- GaAs(p+)双异质结LD, 有源区光增益更增加, 阈值电流大大减小, 抗辐射能力又优于单异质结LD. 多量子阱LD:具有低的阈值电流, 有源区极薄,量子效率很高,输出光功率大, 抗辐射能力最优. 光电探测器件的结构及工特点 光电探测器有光伏（PV）型及光导（PC）型。PV型如右图，光子激发PN结及其附近区域产生电子—空穴对，电子向N区，空穴则向P区，N区及P区开路时二端产生电压。 光导探测器则是光直接照射在半导体上产生光载流子，从而改变探测器 光电探测器辐射效应的一般分析 中子辐射效应（1） 右图给出PV及PC InSb 红外探测器经14MeV中子辐照引起的效应。以信号电压下降10%的中子注量作为失效阈值，PV器件其值为5x1011 n/cm2 , PC器件其值为9x1012n/cm2. 中子辐射照效应（2） 右图示出PV及PC InSb 红外探测器相对信号电压同噪声之比同中子流量的关系。PC器件优于PV器件,原因是PC为多子器件，PV为少子器件，少子寿命的下降对PV影响更大。 总剂量电离辐射效应 总剂量电离辐射主要在探测器表面 及绝缘体产生损伤，例如表面及界面 态增加，绝缘体内产生被俘获的电 荷，导致半导体表面反型产生漏电电 流。 对于PC探测器上述影响较小，右上图示 出中波红外HgCdTe PC探测器的响应度同 总量的关系，经 1.5x104 Gy 总剂量 辐照后，器件灵敏稍有变化。 右下图示出短波红外 HgCdTe PV 探测器的 光响应度在 1x103 Gy 总剂量辐照前后的 频率响应曲线。虽然辐照后表面产生反 型，导致器件有效面积增加，增加了光响 应，但是其漏电电流增加了，这是不希望 的。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 化合物半导体器件的辐射效应 涉及的典型化合物半导体器件类型, 微电子器件: 单极器件—MESFET,双极器件—HBT 光电子器件: LED,LD,光探测器 微电子器件: GaAs MESFET, 结构及输出特性 结构 输出特性 GaAs MESFET的工作原理、优点及用途 工作原理:多子器件(单极),电压控制,类似MOSFET,但输入为金属同半导体接触的肖特基结 优点:由于、μ GaAs~6 μ Si, VGaAs(饱和)2V Si（饱和） ，因此， GaAs MESFET的工作频率比同类 Si器件高很多。 用途：自1976年问世以来发展迅速，从微波低噪声放大器件到微波功率器件，从厘米波到毫米波器件，广泛用于航天、通信、雷达、电子对抗等各种领域。 GaAs MESFET的总剂量电离辐射效应 由于不存在MOSFET那样的栅SiO2,因此总剂量电离辐射效应影响较小，很多实验证实， GaAs MESFE的耐总剂量电离辐射能力可以达到107rad以上。 增益Gp同γ总剂量的关系 噪声系数N同γ总剂量的关系 GaAs MESFET的中子辐射效应 高能中子同GaAs晶格原子碰撞，使其离开平衡格点—位移，产生“空位”及“间隙”，由此引入缺陷中心和陷阱。它们起复合中心作用，使少子寿命下降；吸收导带的自由载流子，使电阻率增加；形成附加的电离散射中心，使迁移