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术语 正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。 正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。 结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。 反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。 输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。 反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。 电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。 传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。 入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 CMTR（commonmodetransient rejection）：描述共模电压上升/下降的速度，单位volts per microsecond。 爬电距离：两个导电部件之间,或一个导电部件与设备及易接触表面之间沿绝缘材料表面测量的最短空间距离。沿绝缘表面放电的距离即泄漏距离也称爬电距离，简称爬距。一般有两种测试条件，一种为1min，一种为1sec。 老化：光耦的老化是由LED灯的光衰引起的，不同厂家的光衰曲线不同， 以下为Cree公司的光衰曲线，供参考，其光衰与结温有关系。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 光耦基础知识及Avago产品 技术中心 2010-12-14 知识框架 光耦基础知识 光耦内部结构及工作原理 光耦特性 几种数字隔离器优势对比 光耦分类 相关参数指标说明 光耦的应用 应用领域 几种常用光耦的特性 Avago光耦产品 Avago光耦的特点 Avago光耦的详细产品分类 附：术语说明 光耦的基础知识 光耦内部结构及工作原理 输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。 图1 光耦原理图 电 → 光 → 电 光耦特性-SWOT分析 Threats 数字隔离器的取代：速度快、 功耗低、 可靠性高 S Weaknesses： LED老化； 速度受限； Opportunities 对隔离效果要求高； 开关电源； …… Strengths： 共模抑制能力强； 抗干扰能力强； 无粗点、寿命长； 效率高； W O T 各种数字隔离器的性能 优点 缺点 示意图 厂商阵营 应用场合 光耦合技术 抗干扰强 速度受限、功耗、LED老化 Avago、 Vishay、 Toshiba.. Fairchild 电机、电源控制系统 电感耦合技术 共模差异和差分传输特性 （变压器允许噪声和信号频率重叠，但是会呈现出噪声高共模阻抗和信号低差分阻抗。 ） 信号能量传输可以为近 100% 的效率 对外部磁场（噪声）的磁化 数据运行长度 受限（变压器允许的带宽内） ADI、 Silicon Lads 电力自动化、工业测量、楼宇控制、煤矿安全、安防消防、智能交通、流量计、运动控制、电机控制、汽车车体通讯、仪器仪表、航天航空等 光耦主要参数 绝缘耐压 爬电距离： 两个导电部件之间,或一个导电部件与设备及易接触表面之间沿绝缘材料表面