多横模垂直腔面发射激光器及其波长特性.pdfVIP

物理 学报 ActaPlays．Sin．Vo1．64，No．16(201,5) 164203 多横模垂直腔面发射激光器及其波长特性冰 关宝璐十 刘欣 江孝伟 刘储 徐晨 (北京工业大学，光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京 100124) (2015年2月9日收到；2015年3月 12日收到修改稿) 基于氧化限制型内腔接触垂直腔面发射激光器 (VCSEL)结构设计，研究了VCSEL的多横模分布及其模 式波长分裂特性与氧化孔径尺寸、形状的关系．在实验基础上，通过建立有效折射率模型，并利用标量亥姆霍 兹方程的迭代算法理论，分别对椭圆形氧化孔径和圆形氧化孔径VCSEL的横向模式特性进行模拟研究，计算 得到不同形状孔径的多横模光场分布情况，同时测量得到高阶横模多频输出光谱．研究发现，椭圆氧化孔形 状不仅影响横模分布特性，还会导致每个模式的波长产生分裂，分裂值可达0．037nm．同时，随着氧化孔径的 增大，波长分裂影响会逐渐减小，直至趋近于圆形氧化孔径的分布特性．研究结果为进一步实现氧化限制型 VCSEL的多横模锁定提供了有益参考和借鉴． 关键词：垂直腔面发射激光器，氧化孔径，横模分布，波长分裂 PACS：42．55．Px，42．79．Ag，42．60．Fc DOh10．7498／aps．64．164203 从而影响拉格朗日一高斯模式间距分布的形成．因 1 引 言 此，为了使横向模式能够更好地锁定，椭圆形氧化 孔径VCSEL的横 向模式分布以及相邻模式对应 垂直腔面发射激光器 (VCSEL)作为重要的半 波长分裂的研究变得至关重要． 目前，已有课题 导体激光器光源之一，对促进信息社会的高速发展 组开展了氧化限制型VCSEL横模特性研究，例如， 和推动高密度、超快光通信技术的形成变得越来 Li等 7【]在实验中观测到了波长分裂的现象；Zhang 越重要．特别是具有短脉冲、高重复频率的横模锁 等 【]研究了电光双折射效应对模式分裂的影响，解 定 (mode-locking，ML)VCSEL越来越被人们所研 释了在外加 电场下两个正交方向波长的偏移的现 究和关注 l【12】．通过锁定VCSELs的单个或多个高 象．但这些研究都没有具体考虑氧化孔形状变化带 阶横模，可 以使VCSEL产生皮秒级甚至飞秒级的 来的影响，特别是对高阶横模的分布以及波长分裂 高重复率激光，并具有相 同的模式空间，可 以产生 计算方法的研究尚未见报道． 类似光学频率梳的输 出频谱，广泛应用于集成光通 传统VCSEL是利用柱坐标系下的多横模速率 信、全光原子钟 以及光测量．但是由于面发射激光 方程来研究横模场分布 9【]．但是这种针对于圆形 器所生长的晶体材料的各向异性，在A1GaAs氧化 氧化孔径的计算方法显然 已经不再适用于椭 圆形 I~E$ffL径形成过程中容易产生不规则形状，直接导 氧化孔径波导结构．因此，本文在实验基础上，建 致VCSEL的近场模式分布不均匀 [3】．特别是为了 立椭 圆波导有效折射率模型，并利用Rsoft软件对 减小VCSEL激光器阈值 电流，人们在设计 中往往 VCSEL的多横模特性进行模拟分析，最终得到椭 采取小尺寸氧化孔径的方法 4【，引．而氧化孔径较小 圆形氧化孔径多横模近场模式的二维平面分布和 时，高铝组分AlGaAs层氧化速率的各向异性更为 氧化孔径横截面的有效折射率分布，并与实验结果 突出，所设计的圆形氧化孔径最终成为椭圆形 6【]， 进行了对 比． 国家自然科学基金青年科学基金 (批准号