第三讲(2012.02.29).pptVIP

第二节 PN结 pn结的形成：将p型半导体与n型半导体紧密接触,其接触界面就形成一个特殊薄层, 这就是PN结。 一、动态平衡下的PN结 （1）在讲述PN结的内部载流子运动之前，我们先来看几个重要概念： ① 扩散运动 —— P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，N区的电子必然向P区运动，P区的空穴也向N区运动，这种由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。 ② 漂移运动 —— 在扩散运动同时，PN结构内部形成电荷区，（或称阻挡层，耗尽区等），在空间电荷区形成的内部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即N区空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移。 图1.1.6 平衡状态下的PN结 ③ 空间电荷区 —— 在PN结的交界面附近，由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，则在P 区和N 区分别出现了由不能移动的带电离子构成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽层，垫垒区。 （见下一页的示意图） ④ 内部电场——由空间电荷区（即PN结的交界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由N区指向P区的电场E，这一内部电场的作用是阻挡多子的扩散，加速少子的漂移。 ⑤ 耗尽层——在无外电场或外激发因素时，PN结处于动态平衡没有电流，内部电场E为恒定值，这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层。 空间电荷区形成示意图 （2）PN结内部载流子的运动过程如下：（无外加电场作用时） ｛N 区电子→→P 区 ｝ ID PN结两端掺杂浓度不均 →→ 扩散运动→→｛ ｝→→→ ｛P 区空穴→→N 区 ｝ ｛ P 区：电子 → 与空穴复合 →→ 空间电荷区↑宽｝ 复合→→｛ ｝→ →→ ｛ N 区：空穴 → 与电子复合 →→ 内部电场Uho↑ ｝ ｛ P 区电子→ N区→→空间电荷区↓窄 ｝ 漂移 →→→｛ ｝→ →→ 少子的漂移运动 ｛ N 区空穴→ P区→→内部电场Uho↓ ｝ ｛扩散↑ ID=IT ｛是动态平衡 ｛ →→→→ 趋于平衡 →→｛ ｛电场↑ ｛ 扩散电流 ID 等于漂移电流 IT 　　　 ｛ 流过空间电荷区的总电流为 0 →→→→ ｛ 　　　　　 ｛ 即：PN 结中的净电流为 0。 结论： 在无外激发因素（光照、加热、电场作用）时，PN结内部的扩散与漂移运动达到动态平衡，扩散电流 ID = 漂移电流 IT，但方向相反，故此时PN结中无电流通过，形成一定的宽度的耗尽层。 （3）对称结和不对称结 PN结根据耗尽层的宽度分为对称结与不对称结： 对称结 —— 两个区（P区和N区）内耗尽层相等。（杂质浓度相等）。 不对称结 —— 杂质浓度高的侧耗尽层宽度小于杂质浓度低的一侧，这样的PN结为不对称结。 二、PN结的特性——单向导电性 ① 正向特性： PN结两端加正向电压U：P 区 “ + ” ，N 区 “ - ” 。 外电场将 ｛ 空穴→（-）离子? 多子推向耗尽区→→｛ 使耗尽层变窄 ｛电子→（+）离子? → →→多子的扩散运动 少子的漂移运动 → →→扩散电流 ID 漂移电流 IT（打破动态平衡） →→→扩散电流ID为PN结的主流（导通电流） →→→由于耗尽层变窄，PN结的电阻很小 →→→一般地，耗尽层两端电位差 = Uho - U 由于 Uho 很小，故U在不大的范围内就可以使PN结正向导通。 结论：PN结加正