hl-2a装置送气和加料的脱靶特性 detachment characteristics with gas puffing and fuelling in the hl-2a tokamak.pdfVIP

第28卷第4期 核聚变与等离子体物理 V01．28．No．4 2008年12月 NuclearFusionandPlasma Dcc．2008 Physics 文章编号：0254—6086(2(X)8)04-0298—05 HL．2A装置送气和加料的脱靶特性 洪文玉，严龙文，程 均，赵开君，钱 俊，王明旭 (核工业两南物理研究院，成都61004H 摘要：HL一2A装置辐射偏滤器实验采用边缘补充送气和分子束加料等方法来提高主等离子体密度，降低边 缘等离子体温度、增加辐射功率分额，获得脱靶等离了：体。偏滤器窀I勺进行主动补充送气或者注入惰性气体杂质， 降低偏滤器等离子体温度，获得脱靶等离子体，并首次获得厂超声分子柬注入产生脱靶等离子体的实验结果。利 用HL一2A装置偏滤器同一极向截面内外中性化板上安装的嵌入式探针阵列和偏滤器室安装的电动探针系统，测量 了偏滤器靶板上和偏滤器室的等离子体参数及其分布，并进行了相关分析和改善约束以及偏滤器脱靶等离子体运 行模式F等离子体行为的研究。 关键词：中性化靶板；脱靶等离子体；嵌入式探针 中图分类号：TL65+6 文献标识码：A 1 引言 有助于获得完全脱靶等离子体。HL一2A装置是闭合 偏滤器是控制反应堆能量流、粒子流和杂质流 偏滤器装置，在偏滤器室内大量注入中性粒子和杂 的主要手段之一，它提高聚变氦灰的排除效率和降 质，对主等离子体边缘参数影响较弱，这为我们在 低靶板或第一壁的腐蚀率，改善主等离子体约束 偏滤器室内主动JJⅡ料和注入杂质、开展辐射偏滤器 等。由于辐射偏滤器能够极大地降低到达偏滤器靶 和脱靶等离子体研究提供十分便利的条件。通过同 板的热通量密度，提高靶板的寿命和改善偏滤器等 时测量主等离予体边缘和偏滤器室内的等离子体 离子体的性能，因此是当前先进偏滤器物理研究的 温度、密度、热通量和中性粒子密度等参数，研究 重要内容‘1—1。 脱靶等离子体形成过程、物理特性和控制方法，以 辐射偏离器实验的主要目标是获得脱离靶板 及对主等离子体性能的影响。 的偏滤器等离子体，即到达偏滤器靶板的等离子体 温度必须降到几个电子伏特，最后与靶板完全脱 2辐射偏滤器实验 离。电离和复合过程通常发生在较上游的区域。降 在HL一2A装置主等离子体边缘和偏滤器室内 低等离子体温度的方法主要有两种：一种是提高主 安装的诊断设备能够I—J时测量上游中平面和偏滤 等离-T4,的放电密度，它会导致边界层电子温度的 器靶板上的等离子体参数，靶板嵌入式探针组和外 下降，温度的下降会进一步增加等离子体芯部周边 偏滤器室内的电动探针组测量靶板上和偏滤器室 和边缘区的辐射，进而降低流到偏滤器室内的热通 内的温度、密度、电子压强、粒子通量以及入射在 量，最后实现完全脱离，安全因子较高的放电有助 靶板上的等离子体功率，偏滤器室内的红外相机测 于实现脱靶等离子体。第二种方法是极大地增加偏 量靶板上沉积功率，Bolometer测量热辐射损失， 滤器室内的中性粒子或者杂质密度，使偏滤器等离 快速气体压强计测量中性粒子压强等。实验结果可 子体温度急剧降低，辐射功率大量增加，然后获得 与数值模拟结果直接比较，验证边缘等离子体理论 脱离靶板等离子体。高密度还容易使磁通量管内的 模型的正确性。 粒子发生碰撞而引起沿磁力线的能量和动量损失， 脱靶状态的特