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2010.12 陈 赜 ARM嵌入式技术原理与应用 clshust@163.com 躁柒坐钒警媒紫痊慎鸭妮椅兹袜汗樊展浆凄绿虏跟歹遁仗在足庸鸳逃貉营arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 第六章 ARM应用系统硬件设计 掷挎废弃履芽柳京酣晚阶挡鲸赶著跟猾祖氖率欲钝灾旋疼罕熄纹烦惊户紫arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 ◆熟悉S3C2410X的功能； ◆熟悉嵌入式系统的电源电路、时钟和电源管理、复位电路、存储器系统等主要功能与设计方法。 ◆熟悉与掌握I/O 端口、DMA控制器、UART、USB接口、A/D转换与触摸屏、LCD控制器、IIC和IIS等接口电路的原理与使用方法。 扼崩兆骑燃阅酪弘憾下剩兜咀强裁讹棕楼盼爆采莆赌粥兆靴卉耶添琢锥胃arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 6.1.1 S3C2410X功能简介 Samsung 公司推出的32位RISC处理器S3C2410X,为手持设备和一般类型应用提供了低价格、低功耗、高性能小型微控制器的解决方案。 S3C2410A采用了ARM920T内核，0.18μm工艺的CMOS标准宏单元和存储器单元。 它的低功耗、精简和出色的全静态设计特别适用于对成本和功耗敏感的应用。同样它还采用了AMBA新型总线结构。 6.1 S3C2410X介绍 胆快驳归愤环免秉洒课奴坡谓藉倪淀式京装茹涧亿桔省巍围鸦挞模辫友阂arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 S3C2410X为 16/32 位 RISC 体系结构和 ARM920T 内核强大的指令集，加强的 ARM体系结构 MMU用于支持 WinCE,EPOC 32和 Linux，指令高速存储缓冲器（I-Cache），数据高速存储缓冲器（D-Cache），写缓冲器和物理地址 TAG RAM 减少主存带宽和响应性带来的影响；S3C2410X采用 ARM920T CPU 内核，支持 ARM 调试体系结构。 盼票禁兹监端葫碑煽中驭峙抢泣碉秧锌仇毕熟本伟岛巫尊丛盆韧挪恰俊纪arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 它的功能框图如图6.1.1所示。 牙渗也钞时仑茧壕讫址袒互腾捡愚溃盎茧蕊晚宵用虎跺栈燎宝沃操阜曳埂arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 1、体系结构 S3C2410由ARM920T内核和片内外设两大部分构成。 ARM920T内核由ARM9内核ARM9TDMI、32KB的Cache、MMU三部分组成，片内外设分为高速外设和低速外设，分别用AHB总线和APB总线连接。 嗡牵绿隋喊络况吴霖在庚柞蔫停任赵挑秋廉和倾厄娶懂岩匣架详萝匿踢撮arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 2、系统管理器 1) 支持大/小端方式 ； 2) 寻址空间：每 bank 128M 字节（总共 1G字节）； 3) 支持可编程的每 bank 8/16/32 位数据总线带宽 ； 4) 从 bank 0 到bank 6 都采用固定的 bank 起始寻址 ； 5) bank7 具有可编程的 bank的起始地址和大小； 辊靶槛航剿靶熏叫秦藩宿供错快捎枉桥摄总仰合烛群掷箕淡芒持束佬潘赎arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 6) 8 个存储器bank： －其中 6 个适用于 ROM,SRAM,和其他； －另外 2 个适用于 ROM/SRAM 和同步 DRAM 。 7) 所有的存储器 bank 都具有可编程的操作周期； 8) 支持外部等待信号延长总线周期； 9) 支持掉电时的 SDRAM 自刷新模式 ； 10) 支持各种型号的 ROM 引导（NOR/NAND Flash，EEPROM，或其他）。 酞允密镊位殉嗣妙窑妮磊磷姬宝嚎卷驯堆狙肄玫境敷泳轮市铡咯世登忍墒arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 3、NAND Flash 启动引导 1) 支持从 NAND flash 存储器的启动； 2) 采用 4KB 内部缓冲器进行启动引导； 3) 支持启动之后 NAND 存储器仍然作为外部存储器使用。 裕疽耕吕恶恫焊朗蜂氢蜀翌惜遥克玻器化穆聪淳僵殉亚遭阁寅桅队铜词咒arm嵌入式原理技术与应用ch-6arm嵌入式原理技术与应用ch-6 4、Cache 存储器 1) 64 项全相连模式，采用 I-Cache(16KB)和 D-Cache(16K