离子注入法制备富硅氧化硅薄膜的发光特性分析.pdfVIP

J』!I唧删fffff|ff『J肌删删舢删Ⅲ Y1 9431“12IIII 5IIIlll 由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3．5个数量级， 无法满足光电子器件的需要，完全的硅基光电子集成网络也一直未能面市。将富 余的硅元素掺杂进Si02基体中可以引入不同特性的发光中心，从而获得多种光 谱范围的高效发光。离子注入热氧化硅层和超大规模集成电路(ULSI)的半导 体工艺完全兼容，并可精确控制注入离子的分布、浓度和掺杂层厚度，是实现高 效硅基发光的有效途径。 ， 通过干、湿两种热氧化法在单晶硅表面制备了两组热氧化硅薄膜样品；采用 氧化硅基体，制得三组Si02：Si注入层，标记为样品组Gl～G3；分别在低温 ‘ 注入层进行退火，制得了三组退火态富硅氧化硅样品。 TRIM程序的模拟结果表明：随着注入能量的增加，Si02：Si注入层的厚度、 移位原子总数均随之增大；不同注入剂量的Si02：Si注入层具有不同的平均化学 配比。FTIR谱表明湿氧化硅层内Si．H键和羟基(O．H键)的含量比干氧化硅层 高，Si02：Si注入层的Si．H振动模和羟基含量较原始热氧化硅层显著提高。XRD 谱表明Si02：Si注入层为非晶结构，并在高温退火态的注入层中检测到少量硅晶 体析出相；Raman谱证实了高温退火态注入层中硅晶相的存在。XPS谱表明样 品的主要成分是Si元素和O元素，并在样品表面检测到缺氧和富氧两种结构。 各组注入态样品的室温可见光致发光(PL)谱表明，发光峰位集中在 注入剂量的增加有先增加后减小的趋势，这种趋势可以用注入层内总原子位移数 的增加和浓度猝灭效应解释。不同注入能量的干Si02：Si注入层的PL谱积分强 度随注入能量增加而增大，湿Si02：Si注入层则有先增加后减小的趋势。干注入 层的变化趋势与移位原子总数随注入能量的变化趋势一致。低温退火后位于 Ⅱ Ⅱl Abstract ABSTRACT arenotnow basedonsilicon available， thoroughly Integratedoptoelectronics transitionofbulk frominter-band because ofluminescence efficiency originated suchasGaAs· siliconis3-5orderslowerthan semiconductor crystal compound an methodto ionsinto substrateis effective silicon Si02 surplus Im