金属沉积系统.pptVIP

光电0801 李斌 080150113 ; 被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是： 蒸发 溅射 金属CVD 铜电镀;物理气相沉积（PVD）; 蒸发 台阶覆盖能力、粘附性较差 PVD 溅射 台阶覆盖能力、粘附性好 早期使用最广泛的是蒸发法，这种方法具有较高的淀积速率，所制备膜的的纯度较高。但是它固有的缺点又限制了在现今工艺中的应用，包括台阶覆盖能力和与衬底的粘附性较差、淀积多元化合金金属薄膜时成分难以控制。;因此溅射法在超大规模集成电路制造中已基本取代蒸发法；但是在分立器件(二极管、三极管等)及要求不高的中小规模集成电路中蒸发还是被广泛应用。;蒸发原理 真空蒸发技术就是指真空条件下加热蒸发源，将被淀积材料加热到发出蒸气，蒸气原子以直线运动通过腔体到达衬底（硅片）表面，凝结形成固态薄膜。 因为真空蒸发法的主要物理过程是通过加热蒸发材料，使其原子或分子蒸发，所以又称热蒸发。 ;真空蒸发设备; 真空蒸发设备;真空蒸发设备;蒸发的优缺点;溅射; 1.概念 具有一定能量的入射粒子在对固体表面进行轰击时，入射粒子在与固体表面原子的碰撞过程中将发生能量和动量的转移，并可能将固体表面的原子溅射出来，称这种现象叫溅射。 在实际进行溅射时，通常是让被加速的正离子轰击作为阴极的靶，并从阴极靶溅射出原子，所以又称阴极溅射。;2.溅射的优点;3.原理;4.基本溅射步骤;1）溅射阈值 在集成电路制造中，采用溅射法制造的薄膜种类很多，所以需要的靶材种类也很多。 对于每一种靶材，都存在一个能量阈值，低于这个值就不会发生溅射现象。 溅射阈值主要取决于靶材本身的特性。;2）溅射率 溅射率也称溅射产额，是表征溅射特性最重要的一个参量。 它表示正离子轰击作为阴极的靶材时，平均每个正离子能从靶材上打出的原子数目，就是被溅射出的原子数与入射离子数之比，用S（原子数/离子数）表示。 溅射率的大小与入射离子的能量、种类、靶材的种类、入射离子的入射角等因素有关。 随着入射离子能量的增加，溅射率指数上升；但当能量超过一定值后，由于出现明显的离子注入现象而导致溅射率下降。 ;;6.溅射中的物理学;溅射过程中从靶的表面撞出金属原子;除了被溅射的原子被轰击外，还有其它核素淀积在衬底上（见下图）。这些核素给衬底加热（使温度达到350℃），引起薄膜淀积不均匀。在铝的淀积过程中，高温也可能产生不需要的氧化铝，这反而妨碍了溅射过程。另外如果这些核素（杂质原子）掺杂进正在衬底上生长的薄膜，这将引起薄膜的质量问题。 不同核素淀积在衬底上;1.射频溅射 使用直流溅射可以很方便地溅射淀积各种金属薄膜，但前提之一是靶材应具有较好的导电性。若阴极是导体，由于电传导阴极表面保持负电位；若是绝缘体，阴极表面被轰击出的电子不能被补充。因此随轰击的进行阴极聚集大量正电荷，使阴阳两极表面电势减小；一旦小于支持放电值，放电现象马上消失。; 对于导电性较差的材料的溅射，我们找到了另一种溅射方法——射频溅射。 用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，所以称为射频溅射。 射频方法在溅射过程中可以在靶材上产生自偏压效应，即在射频电场起作用的同时，靶材会自动地处于一个负电位，这将导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。 ; 从以上讨论可以知道，溅射所需的气压较高，并且淀积速率也较低，气体分子对薄膜产生污染的可能性也较高。因而，磁控溅射作为一种淀积速率高、工作气体压力较低的溅射技术具有独特的优越性。;3290磁控溅射台 ;磁控溅射就是在靶材后面安装磁体，以俘获并限制电子在靶前面的活动。 如后图，将磁铁装在靶后,由于阴极表面存在极强的磁场，电子受洛伦兹力的作用而被限制在阴极面上一个较窄的阴影区内进行螺旋运动,因提高了与气体分子的碰撞次数，增加了等离子体的密度，从而提高了溅射速率；;诬疥憨葵黎铅狐类桅刁湍叶苗训谐华提册侨萨秀智旅藐斥铣胳逝犀谎贡兜金属沉积系统金属沉积系统; 磁控溅射中从阴极表面反射的二次电子由于受到磁场的束缚而不再轰击硅片，避免了硅片的升温及器件特性的退化；在电磁场作用下，提高了气体分子的离化度，所以在较低的气压下就可工作，同时也提高了膜的纯度。; 准直溅射